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Resonant cavity strained Group III-V photodetector and LED on silicon substrate and method to fabricate same 专利
专利号: US10135226, 申请日期: 2018-11-20, 公开日期: 2018-11-20
作者:  CHENG, CHENG-WEI;  LEOBANDUNG, EFFENDI;  LI, NING;  SADANA, DEVENDRA K.;  SHIU, KUEN-TING
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Method for incorporating stress sensitive chip scale components into reconstructed wafer based modules 专利
专利号: US9735128, 申请日期: 2017-08-15, 公开日期: 2017-08-15
作者:  KARPMAN, MAURICE
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实时视频图像α混合系统 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN201937741U, 申请日期: 2011-08-17, 公开日期: 2011-08-17
作者:  王玉良;  佟新鑫;  栗霄峰
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Distributed feedback laser diode and a method for manufacturing the same 专利
专利号: US7627011, 申请日期: 2009-12-01, 公开日期: 2009-12-01
作者:  KAWAHARA, TAKAHIKO
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Ingan-based light-emitting diode chip and a method for the production thereof 专利
专利号: US7375377, 申请日期: 2008-05-20, 公开日期: 2008-05-20
作者:  BAUR, JOHANNES;  BRUDERL, GEORG;  HAHN, BERTHOLD;  HARLE, VOLKER;  STRAUSS, UWE
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Cryogenically Cooled Solid State Lasers 专利
专利号: US20070297469A1, 申请日期: 2007-12-27, 公开日期: 2007-12-27
作者:  BROWN, DAVID C.
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Technique to grow high quality ZnSe epitaxy layer on Si substrate 专利
专利号: US7071087, 申请日期: 2006-07-04, 公开日期: 2006-07-04
作者:  YANG, TSUNG-HSI;  LEE, CHUNG-LIANG;  YANG, CHU-SHOU;  LUO, GUANGLI;  CHOU, WU-CHING
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Production method for light emitting element 专利
专利号: US6939731, 申请日期: 2005-09-06, 公开日期: 2005-09-06
作者:  ISHIZAKI, JUN-YA
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Method and apparatus for phase shifting and optical beam in an optical device with reduced contact loss 专利
专利号: US6870969, 申请日期: 2005-03-22, 公开日期: 2005-03-22
作者:  LIU, ANSHENG
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Nitride semiconductor layer structure and a nitride semiconductor laser incorporating a portion of same 专利
专利号: US6829273, 申请日期: 2004-12-07, 公开日期: 2004-12-07
作者:  AMANO, HIROSHI;  AKASAKI, ISAMU;  KANEKO, YAWARA;  YAMADA, NORIHIDE;  TAKEUCHI, TETSUYA
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