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用于测定多硫化半胱氨酸氟硼吡咯类荧光团衍生物及其应用 专利
专利号: 2015104371823, 申请日期: 2017-09-26,
作者:  于法标;  陈令新;  高敏;  韩潇玥
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一种氟硼吡咯类化合物及其应用 专利
专利号: 2014101971582, 申请日期: 2017-02-15,
作者:  于法标;  陈令新;  景晓彤;  高敏;  陈浩
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一种氟硼吡咯类衍生荧光化合物及其应用 专利
专利号: 2014101739468, 申请日期: 2017-02-15,
作者:  于法标;  陈令新;  高敏;  景晓彤;  陈浩
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Semiconductor laser device and manufacturing method therefor 专利
专利号: US20090213888A1, 申请日期: 2009-08-27, 公开日期: 2009-08-27
作者:  YAGI, TETSUYA
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InGaN diode-laser pumped II-VI semiconductor lasers 专利
专利号: US7136408, 申请日期: 2006-11-14, 公开日期: 2006-11-14
作者:  SPINELLI, LUIS A.;  ZHOU, HAILONG;  AUSTIN, R. RUSSEL
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Laser diode array 专利
专利号: US6647037, 申请日期: 2003-11-11, 公开日期: 2003-11-11
作者:  IRWIN, TIMOTHY L.
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Method and apparatus for packaging laser diodes 专利
专利号: US20030076861A1, 申请日期: 2003-04-24, 公开日期: 2003-04-24
作者:  DHARIA, KIRIT S.;  FRANKS, ROBERT;  GONTIJO, IVAIR;  GUO, JUNPENG;  LIU, YET-ZEN
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Tapered air apertures for thermally robust vertical cavity laser structures 专利
专利号: US20020067748A1, 申请日期: 2002-06-06, 公开日期: 2002-06-06
作者:  COLDREN, LARRY A.;  NAONE, RYAN L.
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A semiconductor material comprising two dopants 专利
专利号: GB2351390A, 申请日期: 2000-12-27, 公开日期: 2000-12-27
作者:  ALISTAIR, HENDERSON, KEAN;  HARUHISA, TAKIGUCHI
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Bandgap isolated light emitter 专利
专利号: US6064683, 申请日期: 2000-05-16, 公开日期: 2000-05-16
作者:  JOHNSON, RALPH H.
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