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一种基于超声AFM的纳米薄膜厚度检测装置及其方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN107192857A, 申请日期: 2017-09-22,
作者:  刘连庆;  李广勇;  于鹏;  施佳林
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Current-confinement heterostructure for an epitaxial mode-confined vertical cavity surface emitting laser 专利
专利号: US20050249254A1, 申请日期: 2005-11-10, 公开日期: 2005-11-10
作者:  DEPPE, DENNIS G.
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Apparatus and method for determining the active dopant profile in a semiconductor wafer 专利
专利号: EP1192444A1, 申请日期: 2002-04-03, 公开日期: 2002-04-03
作者:  BORDEN, PETER, G.;  NIJMEIJER, REGINA, G.
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半導体発光装置 专利
专利号: JP1995095616B2, 申请日期: 1995-10-11, 公开日期: 1995-10-11
作者:  棚橋 俊之
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- 专利
专利号: JP1993009951B2, 申请日期: 1993-02-08, 公开日期: 1993-02-08
作者:  HIGUCHI HIDEYO;  NAMISAKI HIROBUMI
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- 专利
专利号: JP1992006113B2, 申请日期: 1992-02-04, 公开日期: 1992-02-04
作者:  YAMAMOTO SABURO;  HAYASHI HIROSHI;  KANEIWA SHINJI
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Manufacture of semiconductor laser 专利
专利号: JP1988301581A, 申请日期: 1988-12-08, 公开日期: 1988-12-08
作者:  YOSHITOSHI KEIICHI;  YONEDA KOJI
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Semiconductor light-emitting device 专利
专利号: JP1988261887A, 申请日期: 1988-10-28, 公开日期: 1988-10-28
作者:  TANAHASHI TOSHIYUKI
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Manufacture of buried semiconductor laser element 专利
专利号: JP1988093184A, 申请日期: 1988-04-23, 公开日期: 1988-04-23
作者:  YAMAMOTO SABURO
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Semiconductor laser array 专利
专利号: JP1988044785A, 申请日期: 1988-02-25, 公开日期: 1988-02-25
作者:  YANO MORICHIKA;  MATSUI KANEKI;  TANETANI MOTOTAKA;  MATSUMOTO AKIHIRO
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