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| Preparing high sulfur content nitrogen-sulfur co-doped pitch-based carbon material involves placing absolute ethanol into reaction kettle, adding saturated aqueous solution of sodium chloride in dropwise manner to anhydrous ethanol. 专利
申请日期: 2018-01-01, 公开日期: 2018-05-08
作者: QIU J HAO M XIAO N WANG Y
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| Boron-nitrogen doped chitosan-based activated carbon, having a specific surface area and pore size distribution, comprises chitosan and boric acid as raw materials. 专利
申请日期: 2013-01-01, 公开日期: 2013-03-06
作者: QIU J CHENG X XIAO N YU C LING Z ZH
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| Semiconductor devices on misoriented substrates 专利
专利号: WO2006058040A3, 申请日期: 2006-10-05, 公开日期: 2006-10-05
作者: CANEAU CATHERINE G; NISHIYAMA NOBUHIKO; GURYANOV GEORGIY
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| Tunnel junctions for long-wavelength VCSELs 专利
专利号: US6933539, 申请日期: 2005-08-23, 公开日期: 2005-08-23
作者: BHAT, RAJARAM; NISHIYAMA, NOBUHIKO
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| Vapor growth method of compound semiconductor 专利
专利号: JP1990155287A, 申请日期: 1990-06-14, 公开日期: 1990-06-14
作者: IJICHI TETSURO
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| Semiconductor laser array device and manufacture thereof 专利
专利号: JP1987144384A, 申请日期: 1987-06-27, 公开日期: 1987-06-27
作者: SUGINO TAKASHI; YOSHIKAWA AKIO; HIROSE MASANORI; YAMAMOTO ATSUYA
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| - 专利
专利号: BE743335A, 申请日期: 1970-05-28, 公开日期: 1970-05-28
作者: -
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| Production of semiconductor devices 专利
专利号: GB1049671A, 申请日期: 1966-11-30, 公开日期: 1966-11-30
作者: HILSUM, CYRIL; HOLEMAN, BRIAN, ROWLAND; HAMBLETON, KENNETH, GEORGE
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| Method for liquid phase epitaxial growth 专利
专利号: JP1983212130A, 公开日期: 1983-12-09
作者: KISHI YUTAKA
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