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Silicon photoelectric diode manufacturing method, involves carrying low temperature annealing to wafer to form ohmic contact between silicon material of device layer and positive and negative electrodes of upper surface. 专利
申请日期: 2010-01-01, 公开日期: 2010-05-26
作者:  CHU J HAN Z MENG F WANG Z
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Quantum well intermixing in InGaAsP structures induced by low temperature grown InP 专利
专利号: US6797533, 申请日期: 2004-09-28, 公开日期: 2004-09-28
作者:  THOMPSON, DAVID A.;  ROBINSON, BRADLEY J.;  LETAL, GREGORY J.;  LEE, ALEX S. W.;  GORDON, BROOKE
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Tapered air apertures for thermally robust vertical cavity laser structures 专利
专利号: US20020067748A1, 申请日期: 2002-06-06, 公开日期: 2002-06-06
作者:  COLDREN, LARRY A.;  NAONE, RYAN L.
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Optical device, laser beam source, laser apparatus and method of producing optical device 专利
专利号: US6333943, 申请日期: 2001-12-25, 公开日期: 2001-12-25
作者:  YAMAMOTO, KAZUHISA;  MIZUUCHI, KIMINORI;  KITAOKA, YASUO;  KATO, MAKOTO
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Manufacture of compound semiconductor thin film 专利
专利号: JP1988092015A, 申请日期: 1988-04-22, 公开日期: 1988-04-22
作者:  SHIMOBAYASHI TAKASHI;  ITO NAOYUKI
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Manufacture of semiconductor laser 专利
专利号: JP1985223185A, 申请日期: 1985-11-07, 公开日期: 1985-11-07
作者:  SUZUKI TOORU
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ZnO group epitaxial semiconductor device and its manufacture 专利
专利号: US20060170013A1, 公开日期: 2006-08-03
作者:  KATO, HIROYUKI;  MIYAMOTO, KAZUHIRO;  SANO, MICHIHIRO;  YAO, TAKAFUMI
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Method for implantation of high dopant concentrations in wide band gap materials 专利
专利号: US20060286784A1, 公开日期: 2006-12-21
作者:  USOV, IGOR;  ARENDT, PAUL N.
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