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| 基于纳米压印光栅的二次干法刻蚀方法及外延片和激光器 专利
专利号: CN106025795B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24
作者: 王海丽; 赵懿昊; 张奇; 王文知; 仲莉
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| 基于纳米压印光栅的二次干法刻蚀方法及外延片和激光器 专利
专利号: CN106025795B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24
作者: 王海丽; 赵懿昊; 张奇; 王文知; 仲莉
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| 基于纳米压印光栅的两步干法刻蚀方法及外延片和激光器 专利
专利号: CN106099637B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24
作者: 王海丽; 赵懿昊; 张奇; 仲莉; 刘素平
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| 基于纳米压印光栅的两步干法刻蚀方法及外延片和激光器 专利
专利号: CN106099637B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24
作者: 王海丽; 赵懿昊; 张奇; 仲莉; 刘素平
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| 一种改善VCSEL侧壁形貌的干法刻蚀方法 专利
专利号: CN110137804A, 申请日期: 2019-08-16, 公开日期: 2019-08-16
作者: 刘恒; 王俊; 谭少阳; 荣宇峰; 曾冠澐
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| 一种用于制备蓝宝石衬底的GaN基半导体激光器腔面的方法 专利
专利号: CN103915757A, 申请日期: 2014-07-09, 公开日期: 2014-07-09
作者: 王金翠; 沈燕; 张木青; 刘欢; 刘长江
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| 一种提高Ⅲ-Ⅴ族应变多量子阱发光强度的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN1933263, 申请日期: 2007-03-21, 公开日期: 2007-03-21
吴惠桢; 曹萌; 劳燕锋; 黄占超; 刘成; 谢正生
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| 一种提高Ⅲ－Ⅴ族应变多量子阱发光强度的方法 专利
专利号: CN1933263A, 申请日期: 2007-03-21, 公开日期: 2007-03-21
作者: 吴惠桢; 曹萌; 劳燕锋; 黄占超; 刘成
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| 以光刻胶为掩膜对二氧化硅进行深刻蚀的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081225.3, 公开日期: 2011-08-31
作者: 李艳
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| ICP干法刻蚀工艺制备剖面为正梯形的台面的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-08-21
徐晓娜; 胡传贤; 樊中朝; 王晓东; 杨富华
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