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| 一种基于氮化镓材料的双波长同时发射激光器 专利
专利号: CN107123928B, 申请日期: 2019-09-20, 公开日期: 2019-09-20
作者: 张保平; 许荣彬; 梅洋; 应磊莹; 郑志威
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| 可发白光的GaN型VCSEL芯片及其制备方法 专利
专利号: CN110265875A, 申请日期: 2019-09-20, 公开日期: 2019-09-20
作者: 苏小平; 窦志珍; 曹广亮; 刘留
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| 一种GaN基垂直腔面发射激光器的制备方法 专利
专利号: CN110265864A, 申请日期: 2019-09-20, 公开日期: 2019-09-20
作者: 应磊莹; 王灿; 张保平; 许荣彬; 徐欢
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| 一种基于硅基氮化镓和二硫化钨单层膜的二维激子激光器及其制备方法 专利
专利号: CN110233427A, 申请日期: 2019-09-13, 公开日期: 2019-09-13
作者: 蔡玮; 韩冰; 王新迪
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| GaN基激光器及其制备方法 专利
专利号: CN107204567B, 申请日期: 2019-08-20, 公开日期: 2019-08-20
作者: 赵德刚; 梁锋
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| GaN基激光器及其制备方法 专利
专利号: CN107204567B, 申请日期: 2019-08-20, 公开日期: 2019-08-20
作者: 赵德刚; 梁锋
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| 一种多孔GaN导电DBR及其制备方法 专利
专利号: CN110061109A, 申请日期: 2019-07-26, 公开日期: 2019-07-26
作者: 张宇; 魏斌
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| GaN基激光器和超辐射发光二极管及其制备方法 专利
专利号: CN106711764B, 申请日期: 2019-07-05, 公开日期: 2019-07-05
作者: 孙钱; 冯美鑫; 周宇; 杨辉; 池田昌夫
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| GaN基激光器和超辐射发光二极管及其制备方法 专利
专利号: CN106711764B, 申请日期: 2019-07-05, 公开日期: 2019-07-05
作者: 孙钱; 冯美鑫; 周宇; 杨辉; 池田昌夫
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| 一种具有布拉格反射层结构的氮化镓基发光元件 专利
专利号: CN209045596U, 申请日期: 2019-06-28, 公开日期: 2019-06-28
作者: 顾伟
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