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| Removal of boron from polycrystalline silicon via partial evaporation, by partially melting polycrystalline silicon with electron beam, evaporating melted silicon, and collecting accumulated polycrystalline silicon. 专利
申请日期: 2010-01-01, 公开日期: 2010-05-19
作者: DONG W JIANG D LI G TAN Y
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| 供光電裝置用的氧化鎵塗層 专利
专利号: HK1003439A1, 申请日期: 2000-03-31, 公开日期: 2000-03-31
作者: NILOY KUMAR DUTTA; RUSSEL J. FISCHER; NEIL EDMUND JAMES HUNT; MATTHIAS PASSLACK; ERDMANN FREDERICK SCHUBERT
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| Mask for manufacturing process of semiconductor device 专利
专利号: JP1991094482A, 申请日期: 1991-04-19, 公开日期: 1991-04-19
作者: TADATOMO KAZUYUKI; TANIGUCHI KOICHI; TOYAMA OSAMU; IKUNISHI SHIYOUGO
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| Multibeam semiconductor laser device 专利
专利号: JP1990257689A, 申请日期: 1990-10-18, 公开日期: 1990-10-18
作者: TAKAMURA TAKASHI
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| Epitaxial crystal growth 专利
专利号: JP1989264217A, 申请日期: 1989-10-20, 公开日期: 1989-10-20
作者: IMAMOTO HIROSHI
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| Distributed reflection semiconductor laser 专利
专利号: JP1987221175A, 申请日期: 1987-09-29, 公开日期: 1987-09-29
作者: KATSUTA HIROHIKO; SUEMATSU YASUHARU
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| Optical device and manufacture of the same 专利
专利号: JP1987144388A, 申请日期: 1987-06-27, 公开日期: 1987-06-27
作者: UTOPARU KUMAA CHIYAKURABAATEI; ARANDO KUWAN YUU CHIN; JIYOOJI JIYON PURUZUIBAIRETSUKU; REGURANDO JIERARUDO BUAN UITAATO; JIYOOJI JIYON ZUIDOZUITSUKU
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| Semiconductor light-emitting element 专利
专利号: JP1987001293A, 申请日期: 1987-01-07, 公开日期: 1987-01-07
作者: SEKI AKINORI; KUDO ATSUSHI; KOBA MASAYOSHI
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| Semiconductor laser device 专利
专利号: JP1986288479A, 申请日期: 1986-12-18, 公开日期: 1986-12-18
作者: YAMAMOTO OSAMU; HAYASHI HIROSHI; YAMAMOTO SABURO
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| Manufacture of semiconductor device 专利
专利号: JP1986251184A, 申请日期: 1986-11-08, 公开日期: 1986-11-08
作者: IKEDA MINORU
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