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| 一种薄膜样品全自动裁切方法与装置 专利
专利号: ZL201910879174.2, 申请日期: 2021-03-02,
作者: 花昌义; 李志刚; 叶超; 王善锋; 孙淼
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| 一种重金属铬形态分离方法 专利
专利号: CN102621258A, 申请日期: 2012-04-09, 公开日期: 2012-08-01
作者: 景传勇; 余思伍
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2016/05/11 |
| Substrate for device bonding and method for manufacturing same 专利
专利号: US7626264, 申请日期: 2009-12-01, 公开日期: 2009-12-01
作者: YOKOYAMA, HIROKI
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| 使用深的元素陷阱之垂直腔面射型雷射(VCSELS)之電流限制、電容減低及隔離 专利
专利号: TW200302615A, 申请日期: 2003-08-01, 公开日期: 2003-08-01
作者: 羅夫H 强森
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| 作为半导体外延薄膜生长用衬底的纤锌矿结构氧化物 专利
专利号: CN1105401C, 申请日期: 2003-04-09, 公开日期: 2003-04-09
作者: B・H・T・切尔
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| III 族窒化物半導体素子およびその製造方法 专利
专利号: JP1999112107A, 申请日期: 1999-04-23, 公开日期: 1999-04-23
作者: 鈴木 健; 松井 俊之; 大井 明彦; 松山 秀昭; 上條 洋
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| Manufacture of semiconductor laser element 专利
专利号: JP1990015689A, 申请日期: 1990-01-19, 公开日期: 1990-01-19
作者: KONDO MASAFUMI; SUYAMA NAOHIRO; TAKAHASHI KOUSEI; HOSODA MASAHIRO; SASAKI KAZUAKI
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| Manufacture of semiconductor laser element 专利
专利号: JP1990015687A, 申请日期: 1990-01-19, 公开日期: 1990-01-19
作者: KONDO MASAFUMI; SUYAMA NAOHIRO; TAKAHASHI KOUSEI; HOSODA MASAHIRO; SASAKI KAZUAKI
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| Optical bistable semiconductor laser 专利
专利号: JP1989179480A, 申请日期: 1989-07-17, 公开日期: 1989-07-17
作者: ODAKAWA TETSUSHI
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| Semiconductor device 专利
专利号: JP1986044492A, 申请日期: 1986-03-04, 公开日期: 1986-03-04
作者: SATOU NAOSHI; HIRAO MOTONAO; KOBAYASHI MASAYOSHI; MORI TAKAO
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