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科研机构
西安光学精密机械... [464]
大连理工大学 [1]
内容类型
专利 [465]
发表日期
2004 [10]
2003 [13]
2002 [9]
2001 [6]
1999 [6]
1998 [8]
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Resonant cavity strained Group III-V photodetector and LED on silicon substrate and method to fabricate same
专利
专利号: US10135226, 申请日期: 2018-11-20, 公开日期: 2018-11-20
作者:
CHENG, CHENG-WEI
;
LEOBANDUNG, EFFENDI
;
LI, NING
;
SADANA, DEVENDRA K.
;
SHIU, KUEN-TING
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2019/12/24
Semiconductor Structure with Stress-Reducing Buffer Structure
专利
专利号: US20170110628A1, 申请日期: 2017-04-20, 公开日期: 2017-04-20
作者:
SHATALOV, MAXIM S.
;
YANG, JINWEI
;
DOBRINSKY, ALEXANDER
;
SHUR, MICHAEL
;
GASKA, REMIGIJUS
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2019/12/30
LED on silicon substrate using zinc-sulfide as buffer layer
专利
专利号: US9159869, 申请日期: 2015-10-13, 公开日期: 2015-10-13
作者:
CHEN, ZHEN
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2019/12/24
Vertical gallium-nitride-based LED chip has buffer layer, un-doped aluminum-gallium-indium nitride layer, doped aluminum-gallium-indium nitride layers, multiquantum well layer, indium-tin oxide layer, and nickel/gold electrode.
专利
申请日期: 2012-01-01, 公开日期: 2012-10-17
作者:
LIN G LIU Q QIN F
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/18
Monolithic power monitor and wavelength detector
专利
专利号: US8078063, 申请日期: 2011-12-13, 公开日期: 2011-12-13
作者:
DAGHIGHIAN, HENRY M.
;
MCCALLION, KEVIN J.
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提交时间:2019/12/26
Semiconductor light emitting device
专利
专利号: US8023545, 申请日期: 2011-09-20, 公开日期: 2011-09-20
作者:
ASANO, HIDEKI
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2020/01/18
Two-wavelength semiconductor laser device and method for fabricating the same
专利
专利号: US7613220, 申请日期: 2009-11-03, 公开日期: 2009-11-03
作者:
TAKAYAMA, TORU
;
SATOH, TOMOYA
;
KIDOGUCHI, ISAO
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2019/12/26
Gallium nitride-on-silicon interface using multiple aluminum compound buffer layers
专利
专利号: US7598108, 申请日期: 2009-10-06, 公开日期: 2009-10-06
作者:
LI, TINGKAI
;
TWEET, DOUGLAS J.
;
MAA, JER-SHEN
;
HSU, SHENG TENG
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2019/12/24
Epitaxial wafers, method for manufacturing of epitaxial wafers, method of suppressing bowing of these epitaxial wafers and semiconductor multilayer structures using these epitaxial wafers
专利
专利号: US7479658, 申请日期: 2009-01-20, 公开日期: 2009-01-20
作者:
SAKAI, MASAHIRO
;
TANAKA, MITSUHIRO
;
EGAWA, TAKASHI
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2019/12/24
Ingan-based light-emitting diode chip and a method for the production thereof
专利
专利号: US7375377, 申请日期: 2008-05-20, 公开日期: 2008-05-20
作者:
BAUR, JOHANNES
;
BRUDERL, GEORG
;
HAHN, BERTHOLD
;
HARLE, VOLKER
;
STRAUSS, UWE
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2019/12/24
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