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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 内容类型：专利     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 一种低成本均匀制备石墨烯薄膜的方法 专利 专利号: 2016100607899, 申请日期: 2018-03-09, 作者:  高翾;  杨贵奇;  李占成;  姜浩;  史浩飞 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2018/04/12 一种高损伤阈值二倍频光吸收材料的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN103265173, 申请日期: 2013-05-30, 公开日期: 2013-08-28 彭波; 侯超奇; 陆敏; 王鹏飞; 高飞; 李玮楠 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2014/07/06 一种金属纳米晶薄膜的制备方法 专利 专利号: CN200610109562.5, 申请日期: 2009-06-17, 公开日期: 2008-02-13 作者:  龙世兵;  李志刚;  刘明;  陈宝钦 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2010/11/26 适用于增强型InGaP/AlGaAs/InGaAs PHEMT器件的栅退火方法 专利 专利号: CN101471260, 申请日期: 2007-12-26, 公开日期: 2009-07-01, 2010-11-26 作者:  黎明;  徐静波;  付晓君 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/26 负温度系数薄膜热敏电阻制备的溶胶凝胶方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: ZL98123522.0, 申请日期: 2002-10-09, 公开日期: 2013-11-27 宋世庚,康健,王学燕 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2013/11/27 采用电子束蒸发方式制备HfO2纳米晶的方法 专利 专利号: CN200710179371.0, 公开日期: 2009-06-17 作者:  陈晨;  陈宝钦;  龙世兵;  谢常青;  王琴 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2010/11/26 利用电子束蒸发设备制备硅纳米晶体的方法 专利 专利号: CN200710176277.X, 公开日期: 2009-04-29 作者:  涂德钰;  陈宝钦;  贾锐;  刘明;  李维龙 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2010/11/26 利用温度周期调制生长氧化锌材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102206856A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 作者:  魏鸿源 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/09/09 一种制备n型掺杂的立方氮化硼薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910237087.3, 公开日期: 2011-08-31 作者:  范亚明;  张兴旺 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2011/08/31