一种低成本均匀制备石墨烯薄膜的方法
高翾; 杨贵奇; 李占成; 姜浩; 史浩飞
2018-03-09
著作权人中国科学院重庆绿色智能技术研究院
专利号2016100607899
国家中国
文献子类发明专利
英文摘要

本发明提供了一种低成本均匀制备石墨烯薄膜的方法,方法步骤为:升温进气,基底高温退火,通入碳源,石墨烯薄膜生长,最后冷却。本发明方法大量减少了反应气体的用量,有效利用反应气体制备石墨烯,降低了石墨烯制备成本;在制备过程中省略了持续抽气环节,大大降低了真空泵损耗和能耗,快速生长石墨烯,具有工业化优点;生长环境稳定性高,解决了原有连续进气气体流量和抽气阀门不稳定造成的生长环境压力和气体比例的波动问题;采用通气至反应压强后断气且不抽气的方式保持腔体压强,使气体在金属催化剂表面自由扩散且均匀分布,显著提高了石墨烯薄膜的方阻均匀性,从而提高石墨烯质量。 全部

分类号C23c16/26(2006.01)i ; C23c16/02(2006.01)i ; C23c16/44(2006.01)i ; C01b32/186(2017.01)i
申请日期2016-01-29
语种中文
状态已授权
内容类型专利
源URL[http://119.78.100.138/handle/2HOD01W0/5774]  
专题微纳制造与系统集成研究中心
作者单位(1)中国科学院重庆绿色智能技术研究院
推荐引用方式
GB/T 7714
高翾,杨贵奇,李占成,等. 一种低成本均匀制备石墨烯薄膜的方法. 2016100607899. 2018-03-09.
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