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| 低V型缺陷密度的GaN基多量子阱激光器外延片及制备方法 专利
专利号: CN109873299A, 申请日期: 2019-06-11, 公开日期: 2019-06-11
作者: 杨静; 赵德刚; 朱建军; 陈平; 刘宗顺
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| 脊形半导体激光器及其制作方法 专利
专利号: CN107645122A, 申请日期: 2018-01-30, 公开日期: 2018-01-30
作者: 黄莹; 李德尧; 刘建平; 张立群; 张书明
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| 无残留光学光刻胶石墨烯FET的制备及原位表征方法 专利
专利号: CN201410763616.4, 申请日期: 2017-07-28, 公开日期: 2015-03-25
作者: 史敬元 ; 彭松昂; 金智; 张大勇; 王选芸
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| 三端原子开关器件及其制备方法 专利
专利号: CN201410828155.4, 申请日期: 2017-02-22, 公开日期: 2015-03-25
作者: 刘明; 刘琦; 龙世兵; 吕杭炳
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| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201210304241.6, 申请日期: 2017-01-25, 公开日期: 2014-03-12
作者: 梁擎擎; 钟汇才; 赵超
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| 一种深亚微米U型栅槽的制作方法 专利
专利号: CN201410005105.6, 申请日期: 2016-08-17, 公开日期: 2014-04-09
作者: 孔欣; 刘果果; 魏珂; 刘新宇
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| 半导体激光器及其制造方法 专利
专利号: CN105576503A, 申请日期: 2016-05-11, 公开日期: 2016-05-11
作者: 奥田哲朗
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| 高稳定性非晶态金属氧化物TFT器件 专利
专利号: CN201110257880.7, 申请日期: 2016-03-30, 公开日期: 2013-03-13
作者: 王玉光; 殷华湘; 董立军; 陈大鹏
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| HEMT器件及其制造方法 专利
专利号: CN201110364028.X, 申请日期: 2016-03-16, 公开日期: 2013-05-22
作者: 刘果果; 魏珂; 黄俊; 刘新宇
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| 一种半导体结构及其制造方法 专利
专利号: CN201110298318.9, 申请日期: 2015-11-25, 公开日期: 2013-04-10
作者: 尹海洲; 朱慧珑; 骆志炯
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