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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 内容类型：专利     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 一种基于绝缘体上硅的MOS晶体管 专利 专利号: CN201010531161.5, 申请日期: 2013-08-28, 公开日期: 2012-05-23 作者:  罗家俊;  韩郑生;  刘刚;  赵发展;  刘梦新 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2016/09/29 一种绝缘体上硅器件及其制备方法 专利 专利号: CN200910305117.X, 申请日期: 2011-04-06, 公开日期: 2010-01-06 作者:  毕津顺;  海潮和;  韩郑生;  罗家俊 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2016/04/08 一种实现部分耗尽绝缘体上硅器件体接触的方法 专利 专利号: CN101231956, 申请日期: 2007-01-24, 公开日期: 2008-07-30, 2010-11-26 作者:  王立新 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/26 一种源体欧姆接触绝缘体上硅晶体管的制作方法 专利 专利号: CN101162696, 申请日期: 2006-10-13, 公开日期: 2008-04-16, 2010-11-26 作者:  毕津顺;  海潮和 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/26