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一种制备ZnO纳米线场效应晶体管的方法 专利
专利号: CN101752250A, 申请日期: 2008-12-17, 公开日期: 2010-06-23, 2010-11-26
作者:  付晓君;  徐静波;  黎明
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多层纳米晶浮栅结构的非挥发性存储器及其制备方法 专利
专利号: CN200710121367.9, 公开日期: 2009-03-11
作者:  陈宝钦;  刘明;  王琴;  管伟华;  刘琦
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纳米晶浮栅存储器及其制备方法 专利
专利号: CN201110022339.8, 公开日期: 2012-07-25
作者:  刘璟;  王琴;  刘明;  金林;  霍宗亮
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