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微电子研究所 [3]
内容类型
专利 [3]
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2008 [1]
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一种制备ZnO纳米线场效应晶体管的方法
专利
专利号: CN101752250A, 申请日期: 2008-12-17, 公开日期: 2010-06-23, 2010-11-26
作者:
付晓君
;
徐静波
;
黎明
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/11/26
多层纳米晶浮栅结构的非挥发性存储器及其制备方法
专利
专利号: CN200710121367.9, 公开日期: 2009-03-11
作者:
陈宝钦
;
刘明
;
王琴
;
管伟华
;
刘琦
收藏
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2010/11/26
纳米晶浮栅存储器及其制备方法
专利
专利号: CN201110022339.8, 公开日期: 2012-07-25
作者:
刘璟
;
王琴
;
刘明
;
金林
;
霍宗亮
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2012/11/20
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