| 一种制备ZnO纳米线场效应晶体管的方法 | |
| 付晓君; 徐静波; 黎明 | |
| 2008-12-17 | |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 专利号 | CN101752250A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种制备ZnO纳米线场效应晶体管的方法，该方法采用传输线法制备出按一定倍数规律排列的电极测试图形，在该电极测试图形上蒸发金属Ti/Au形成监测图形，在器件制备过程中利用该监测图形对纳米线与源漏电极金属所形成的欧姆接触性能进行监测，在欧姆接触性能符合要求时继续进行源漏和背栅电极的制备，完成ZnO纳米线场效应晶体管的制备。本发明采用新颖的欧姆接触监测图形对纳米线和Ti电极之间的欧姆接触情况进行监测，确保了Ti/Au源漏电极与ZnO沟道之间形成良好的欧姆接触，为纳米线场效应晶体管的制备奠定了基础。 |
| 公开日期 | 2010-06-23 ; 2010-11-26 |
| 语种 | 中文 |
| 状态 | 公开 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/7428]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 付晓君,徐静波,黎明. 一种制备ZnO纳米线场效应晶体管的方法. CN101752250A. 2008-12-17. |
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