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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 内容类型：专利     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 采用衬底栅极的MIS电容下压阻结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102134052A, 申请日期: 2011-07-27, 公开日期: 2011-07-27 杨恒; 吴燕红; 丁萃; 吴紫阳; 戴斌; 李昕欣; 王跃林 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2012/01/06 纳米梁上MOS电容衬底的压阻结构及检测方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101251426, 申请日期: 2008-08-27, 公开日期: 2008-08-27 杨恒; 吴燕红; 成海涛; 王跃林 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/01/06