| 纳米梁上MOS电容衬底的压阻结构及检测方法 | |
| 杨恒 ; 吴燕红 ; 成海涛 ; 王跃林 | |
| 2008-08-27 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101251426 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明提出了一种MOS电容衬底的压阻结构及检测方法，以实现对纳 米厚度梁的弯曲的压阻检测。本发明是在半导体纳米厚度梁上制作MOS电 容结构。检测时在MOS电容上施加电压使MOS电容下纳米梁中形成强反型 层与空间电荷区。不导电的空间电荷区使其下方的衬底电阻相对于梁中性面 不对称，可以作为力敏电阻用于纳米梁的弯曲的测量。由于形成强反型层后， 空间电荷区达到最大深度，MOS电容衬底力敏电阻的阻值不随栅极电压变化 而变化，避免了现有的MOS沟道压阻结构中因负反馈引起的灵敏度下降， 并且抗干扰能力强。提供的MOS电 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2008-08-27 |
| 申请日期 | 2007-12-28 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200710173683.0 |
| 专利代理 | 潘振甦 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/47991]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨恒,吴燕红,成海涛,等. 纳米梁上MOS电容衬底的压阻结构及检测方法. CN101251426. 2008-08-27. |
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