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ALD制备InP基半导体激光器中的表面钝化方法 专利
专利号: CN104143760A, 申请日期: 2014-11-12, 公开日期: 2014-11-12
作者:  魏志鹏;  田珊珊;  方铉;  唐吉龙;  李金华
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F-P腔半导体激光器腔面钝化的方法 专利
专利号: CN102299479A, 申请日期: 2011-12-28, 公开日期: 2011-12-28
作者:  冯美鑫;  张书明;  王辉;  刘建平;  曾畅
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