F-P腔半导体激光器腔面钝化的方法 | |
冯美鑫; 张书明; 王辉; 刘建平; 曾畅; 李增成; 王怀兵; 杨辉 | |
2011-12-28 | |
著作权人 | 苏州纳睿光电有限公司 |
专利号 | CN102299479A |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | F-P腔半导体激光器腔面钝化的方法 |
英文摘要 | 一种F-P腔半导体激光器腔面钝化的方法,包括以下步骤:1、解理F-P腔半导体激光器,得到激光器bar条;2、用氮等离子体清洗激光器bar条的前后腔面;3、应用外延生长技术在激光器的前后腔面外延生长一层保护膜;4、在激光器bar条前腔面上蒸镀或沉积增透膜,后腔面蒸镀或沉积高反膜;5、用分割或解理的方法把激光器bar条分成单个激光器芯片或芯片阵列。本发明可以有效地减少激光器腔面处的悬键和表面态,抑制激光器腔面的光吸收;同时外延生长的薄膜为宽禁带材料,对出射光的吸收非常小,可以极大抑制激光器腔面处的光吸收和由此引起的温度上升,提高激光器的稳定性和可靠性。 |
公开日期 | 2011-12-28 |
申请日期 | 2011-07-15 |
状态 | 失效 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63623] |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 苏州纳睿光电有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 冯美鑫,张书明,王辉,等. F-P腔半导体激光器腔面钝化的方法. CN102299479A. 2011-12-28. |
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