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| 一种超高压零泄漏机械密封端面结构 专利 申请日期: 2020-08-11, 公开日期: 2020-08-11 作者:
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| 脉冲激光器的窄脉冲驱动系统及其方法 专利 专利号: CN110190505A, 申请日期: 2019-08-30, 公开日期: 2019-08-30 作者: 赵裕兴; 许卫星; 李立卫
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| 室温太赫兹波探测器 专利 专利类型: 发明, 专利号: 102054891A, 申请日期: 2012-10-10, 公开日期: 2014-01-20 作者: 孙建东 ; 秦华 ; 张宝顺![](/image/person.jpg)
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| 室温太赫兹波探测器 专利 专利类型: 发明, 专利号: 102054891A, 申请日期: 2012-10-10, 公开日期: 2011-05-11 作者: 孙云飞 ; 秦华 ; 孙建东 ; 曾春红 ; 张宝顺![](/image/person.jpg)
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| LD阵列多侧面泵浦激光器 专利 专利号: CN102623879A, 申请日期: 2012-08-01, 公开日期: 2012-08-01 作者: 刘世文
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| 一种链式相变存储器结构 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102157197A, 申请日期: 2011-08-17, 公开日期: 2011-08-17 蔡道林; 陈后鹏; 宋志棠
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| 一种具有缓冲层的SOI超结LDMOS器件 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102130176A, 申请日期: 2011-07-20, 公开日期: 2011-07-20 程新红; 何大伟; 王中健; 徐大伟; 夏超; 宋朝瑞; 俞跃辉
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| SOI超结LDMOS器件的LDD、LDS及缓冲层一体化制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102130012A, 申请日期: 2011-07-20, 公开日期: 2011-07-20 程新红; 何大伟; 王中健; 徐大伟; 夏超; 宋朝瑞; 俞跃辉
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| 用于绝缘体上硅技术的MOS型ESD保护结构及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102104048A, 申请日期: 2011-06-22, 公开日期: 2011-06-22 陈静; 罗杰馨; 伍青青; 宁冰旭; 薛忠营; 肖德元; 王曦
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| 防止浮体及自加热效应的MOS器件结构及其制造方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101986435A, 申请日期: 2011-03-16, 公开日期: 2011-03-16 肖德元; 王曦; 黄晓橹; 陈静
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