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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 内容类型：专利    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 金属有机物化学气相沉积装置 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-02-24, 2010-08-12, 2010-10-15 作者:  段瑞飞 收藏  |  浏览/下载：72/0  |  提交时间：2010/08/12 生长氧化物薄膜的金属有机物化学气相沉积反应室结构 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15 丛光伟; 刘祥林; 董向芸; 魏宏源; 王占国 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2009/06/11 金属有机物化学气相沉积设备反应室中的反烘烤沉积结构 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15 作者:  焦春美 收藏  |  浏览/下载：61/1  |  提交时间：2009/06/11 一种用于金属有机物化学气相沉积设备的进气喷头结构 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010269018.3, 公开日期: 2011-08-31 作者:  段瑞飞 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2011/08/31 金属有机物化学沉积设备的反应室 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010033963.3, 公开日期: 2011-08-31 作者:  殷海波 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2011/08/31 一种生长AlInN单晶外延膜的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200810225783.8, 公开日期: 2011-08-30 作者:  张书明 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2011/08/30