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一种利用层转移技术制备绝缘体上锗硅材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101866874A, 申请日期: 2010-10-20, 公开日期: 2010-10-20
张苗; 薛忠营; 张波; 魏星
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一种利用层转移和离子注入技术制备SGOI材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101866875A, 申请日期: 2010-10-20, 公开日期: 2010-10-20
张苗; 薛忠营; 张波; 魏星
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