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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 内容类型：专利    专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 一种砷化镓基微波单片集成电路功率器件的制作方法 专利 专利号: CN201110030283.0, 申请日期: 2014-09-17, 公开日期: 2012-08-01 作者:  刘新宇;  汪宁;  陈中子;  陈晓娟;  罗卫军 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/11/20  改善氮化镓基场效应管后道工艺的方法 专利 专利号: CN201010235058.6, 申请日期: 2013-03-20, 公开日期: 2012-02-01 作者:  陈晓娟;  汪宁;  刘新宇;  庞磊;  罗卫军 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2016/10/12 氮化镓基场效应管及其制备方法 专利 专利号: CN200810240270.4, 公开日期: 2009-05-27 作者:  刘新宇;  李诚瞻;  魏珂;  郑英奎;  刘果果 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2010/11/26