改善氮化镓基场效应管后道工艺的方法

	改善氮化镓基场效应管后道工艺的方法
	陈晓娟; 汪宁; 刘新宇; 庞磊; 罗卫军
	2013-03-20
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201010235058.6
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种改善氮化镓基场效应管后道工艺的方法，采用改进的减薄研磨工艺降低衬底的厚度，采用纳米抛光液对场效应管的衬底进行化学机械抛光(CMP)，采用溅射钛/镍(Ti/Ni)合金的方法制作掩膜，使用ICP进行深背孔刻蚀。利用本发明，改进的减薄工艺制备出了厚度超薄，抛光面形貌优良的衬底，配合ICP刻蚀工艺，制作出侧壁光滑的深孔结构。采用溅射钛/钨/金(Ti/W/Au)复合层金属的方法形成背金起镀层，电镀黄金形成背面金属散热结构，大大改善了电路的散热问题。
公开日期	2012-02-01
申请日期	2010-07-21
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/15996]
专题	微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	陈晓娟,汪宁,刘新宇,等. 改善氮化镓基场效应管后道工艺的方法. CN201010235058.6. 2013-03-20.