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| 减小顶栅石墨烯场效应晶体管欧姆接触的方法 专利
专利号: CN201610266868.5, 申请日期: 2018-11-20, 公开日期: 2016-07-20
作者: 史敬元 ; 彭松昂; 金智; 张大勇
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| 通过自对准工艺制备石墨烯顶栅场效应晶体管器件的方法 专利
专利号: CN201410535650.6, 申请日期: 2018-05-22, 公开日期: 2015-01-28
作者: 张大勇; 麻芃; 金智; 史敬元; 王少青
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| 无残留光学光刻胶石墨烯FET的制备及原位表征方法 专利
专利号: CN201410763616.4, 申请日期: 2017-07-28, 公开日期: 2015-03-25
作者: 史敬元; 彭松昂; 金智; 张大勇; 王选芸
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| 鳍形场效应晶体管制造方法 专利
专利号: CN201210106806.X, 申请日期: 2016-05-18, 公开日期: 2013-10-23
作者: 钟汇才; 殷华湘; 何卫; 赵超; 陈大鹏
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| 半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201410459513.9, 申请日期: 2014-09-11,
作者: 殷华湘; 秦长亮; 马小龙; 王桂磊; 朱慧珑
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| 一种MOSFET结构及其制造方法 专利
申请日期: 2013-10-13,
作者: 尹海洲
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| 一种自对准石墨烯场效应晶体管及其制备方法 专利
专利号: CN103311276A, 申请日期: 2013-09-18,
作者: 张大勇; 彭松昂; 金智; 陈娇; 史敬元
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| MOSFET结构及其制作方法 专利
专利号: CN200910244516.X, 申请日期: 2012-08-29, 公开日期: 2011-07-06
作者: 梁擎擎; 骆志炯; 尹海洲; 朱慧珑
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| 一种半导体结构及其制造方法 专利
申请日期: 2012-04-19,
作者: 朱慧珑; 尹海洲; 骆志炯
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2017/06/30 |
| 一种制作底电极平坦化的有机场效应晶体管的方法 专利
专利号: CN200810240084.0, 申请日期: 2012-03-28, 公开日期: 2010-06-23
作者: 王宏; 刘舸; 刘明; 刘兴华; 商立伟
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