一种制作底电极平坦化的有机场效应晶体管的方法

	一种制作底电极平坦化的有机场效应晶体管的方法
	王宏; 刘舸; 刘明; 刘兴华; 商立伟; 柳江
	2012-03-28
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN200810240084.0
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种制作底电极平坦化的有机场效应晶体管的方法，该方法包括：在导电基底上生长绝缘介质薄膜；在绝缘介质薄膜表面上旋涂抗蚀剂，光刻得到底电极胶图形；在底电极胶图形表面蒸镀一层金属薄膜；用丙酮剥离掉光刻胶对底电极进行图形化；旋涂可溶性有机栅介质，填隙在源漏之间的沟道，平坦化源漏电极；干燥有机栅介质材料，并蒸镀有机半导体层。利用本发明，底电极的平坦化工艺比较操作方便，设备简单，也不需要昂贵的刻蚀机设备，普通的旋涂工艺就可以很容易实现。同时，有机栅介质材料有些无机材料作为栅介质所不具备的优点，且材料种类非常丰富，可选择的空间比较大。
公开日期	2010-06-23
申请日期	2008-12-17
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/7408]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	王宏,刘舸,刘明,等. 一种制作底电极平坦化的有机场效应晶体管的方法. CN200810240084.0. 2012-03-28.