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| 一种高光谱图像传感器的单片集成方法 专利
专利号: CN201610214392.0, 申请日期: 2018-12-25, 公开日期: 2016-07-06
作者: 崔虎山; 项金娟 ; 贺晓彬; 杨涛; 李俊峰
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| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201410398357.X, 申请日期: 2018-12-11, 公开日期: 2016-03-30
作者: 王桂磊; 崔虎山; 殷华湘; 李俊峰; 朱慧珑
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| 具有自对准栅结构的半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201510888498.4, 申请日期: 2018-12-07, 公开日期: 2016-05-25
作者: 朱慧珑; 万光星
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| 减小顶栅石墨烯场效应晶体管欧姆接触的方法 专利
专利号: CN201610266868.5, 申请日期: 2018-11-20, 公开日期: 2016-07-20
作者: 史敬元; 彭松昂; 金智; 张大勇
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| 一种平面型IGBT结构的制备方法 专利
专利号: CN201310085579.1, 申请日期: 2018-11-06, 公开日期: 2014-06-04
作者: 卢烁今; 赵佳; 朱阳军; 陆江; 田晓丽
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| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201210293525.X, 申请日期: 2018-09-14, 公开日期: 2014-02-19
作者: 马小龙; 殷华湘; 付作振
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| 金属石墨烯双面接触结构的制备方法及石墨烯晶体管 专利
专利号: CN201610306028.7, 申请日期: 2018-09-11, 公开日期: 2016-08-31
作者: 彭松昂; 张大勇; 史敬元; 金智; 毛达诚
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| 一种沟槽型IGBT结构的制作方法 专利
专利号: CN201310085577.2, 申请日期: 2018-09-11, 公开日期: 2014-06-04
作者: 赵佳; 朱阳军; 胡爱斌; 卢烁今
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| 堆叠纳米线MOS晶体管制作方法 专利
专利号: CN201210392511.3, 申请日期: 2018-07-31, 公开日期: 2014-04-16
作者: 殷华湘; 秦长亮; 付作振; 马小龙; 陈大鹏
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| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201210258854.0, 申请日期: 2018-07-27, 公开日期: 2014-02-12
作者: 陈大鹏; 闫江; 殷华湘
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