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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 内容类型：专利    专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 半导体器件及其制造方法 专利 专利号: CN201410398357.X, 申请日期: 2018-12-11, 公开日期: 2016-03-30 作者:  王桂磊;  崔虎山;  殷华湘;  李俊峰;  朱慧珑 收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2019/03/26 氮化硅高深宽比孔的循环刻蚀方法 专利 申请日期: 2012-07-29, 作者:  孟令款 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2018/04/10 氮化硅高深宽比孔的刻蚀方法 专利 申请日期: 2012-07-03, 作者:  孟令款 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2018/04/03 一种高密度导电通道基板及其制造方法 专利 申请日期: 2011-05-19, 公开日期: 2012-11-20 作者:  于中尧 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2012/11/20 一种高密度凸点基板及其制造方法 专利 申请日期: 2011-05-19, 公开日期: 2012-11-20 作者:  于中尧 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2012/11/20 基于自支撑薄膜高高宽比深亚微米、纳米金属结构制作工艺 专利 专利号: CN200410101873.8, 申请日期: 2009-03-04, 公开日期: 2006-07-12 作者:  谢常青;  叶甜春;  陈大鹏 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/26