基于自支撑薄膜高高宽比深亚微米、纳米金属结构制作工艺

	基于自支撑薄膜高高宽比深亚微米、纳米金属结构制作工艺
	谢常青; 叶甜春; 陈大鹏
	2009-03-04
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN200410101873.8
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明一种基于自支撑薄膜高高宽比深亚微米、纳米金属结构制作工艺，属于半导体技术中的微细加工领域，其工艺步骤如下：1.在自支撑薄膜正面上淀积薄铬薄金；2.在薄铬薄金表面上甩电子束胶，电子束曝光、显影；3.将片子放在电镀液中第一次电镀金属；4.片子正面甩 X射线光刻胶；5.从自支撑薄膜背面进行X射线曝光、显影；6.继续将片子放在电镀液中第二次电镀金属；7.去胶、去底铬底金，完成高高宽比深亚微米、纳米金属结构制。本发明采用一次正面电子束光刻，一次背面X射线自对准曝光，两次电镀获得高高宽比深亚微米、纳米金属结构，具有很强的实用价值，适合大批量生产。
公开日期	2006-07-12
申请日期	2004-12-30
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/7342]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	谢常青,叶甜春,陈大鹏. 基于自支撑薄膜高高宽比深亚微米、纳米金属结构制作工艺. CN200410101873.8. 2009-03-04.