基于自支撑薄膜高高宽比深亚微米、纳米金属结构制作工艺 | |
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2009-03-04 | |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
专利号 | CN200410101873.8 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明一种基于自支撑薄膜高高宽比深亚微米、纳米金属结构制作 工艺,属于半导体技术中的微细加工领域,其工艺步骤如下:1.在自支 撑薄膜正面上淀积薄铬薄金;2.在薄铬薄金表面上甩电子束胶,电子束 曝光、显影;3.将片子放在电镀液中第一次电镀金属;4.片子正面甩 X射线光刻胶;5.从自支撑薄膜背面进行X射线曝光、显影;6.继续 将片子放在电镀液中第二次电镀金属;7.去胶、去底铬底金,完成高高 宽比深亚微米、纳米金属结构制。本发明采用一次正面电子束光刻,一 次背面X射线自对准曝光,两次电镀获得高高宽比深亚微米、纳米金属 结构,具有很强的实用价值,适合大批量生产。 |
公开日期 | 2006-07-12 |
申请日期 | 2004-12-30 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/7342] ![]() |
专题 | 微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年) |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 谢常青,叶甜春,陈大鹏. 基于自支撑薄膜高高宽比深亚微米、纳米金属结构制作工艺. CN200410101873.8. 2009-03-04. |
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