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| 一种高光谱图像传感器的单片集成方法 专利
专利号: CN201610214392.0, 申请日期: 2018-12-25, 公开日期: 2016-07-06
作者: 崔虎山; 项金娟 ; 贺晓彬; 杨涛; 李俊峰
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| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201410707178.X, 申请日期: 2018-12-11, 公开日期: 2016-06-22
作者: 钟汇才; 罗军; 赵超; 朱慧珑
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| 具有自对准栅结构的半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201510888498.4, 申请日期: 2018-12-07, 公开日期: 2016-05-25
作者: 朱慧珑; 万光星
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| 一种堆叠式围栅纳米线器件假栅电极制备方法 专利
专利号: CN201610033601.1, 申请日期: 2018-11-27, 公开日期: 2016-06-15
作者: 孟令款; 徐秋霞; 闫江
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| 大高宽比纳米级金属结构的制作方法 专利
专利号: CN201610407163.0, 申请日期: 2018-11-20, 公开日期: 2016-11-09
作者: 李海亮; 史丽娜; 牛洁斌; 王冠亚; 谢常青
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| 减小顶栅石墨烯场效应晶体管欧姆接触的方法 专利
专利号: CN201610266868.5, 申请日期: 2018-11-20, 公开日期: 2016-07-20
作者: 史敬元; 彭松昂; 金智; 张大勇
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| 一种滤波器及其形成方法 专利
专利号: CN201410213861.8, 申请日期: 2018-11-16, 公开日期: 2015-11-25
作者: 阎跃鹏; 牟鹏飞; 万晶
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| SiGe体区纵向1T-DRAM器件及其制造方法 专利
专利号: CN201310035130.4, 申请日期: 2018-11-06, 公开日期: 2014-08-06
作者: 方雯; 罗军; 赵超
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| 半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201210497474.2, 申请日期: 2018-11-06, 公开日期: 2014-06-11
作者: 秦长亮; 王桂磊; 洪培真; 尹海洲; 殷华湘
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| 赛贝克系数测量结构、测量结构制备方法及测量方法 专利
专利号: CN201510226906.X, 申请日期: 2018-11-06, 公开日期: 2015-09-09
作者: 卢年端; 李泠; 刘明; 高南; 徐光伟
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