赛贝克系数测量结构、测量结构制备方法及测量方法

	赛贝克系数测量结构、测量结构制备方法及测量方法
	卢年端; 李泠; 刘明; 高南; 徐光伟; 王伟
	2018-11-06
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201510226906.X
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	一种测量结构，包括绝缘衬底、栅电极、栅绝缘层、有机半导体材料的有源层，其中，多个温度传感器连接线分别连接至有源层的源漏区，多个温度控制线分别连接至与源漏区相连的多个温度传感器连接线的一部分。依照本发明的测量结构、制备方法和测量方法，在有机半导体层源漏两侧形成多个温度传感器连接线、以及分别连接至源漏两侧温度传感器连接线的温度控制线，通过四端接触法测量样品的温度和电压进而测算样品的赛贝克系数，以高效低成本方式提高了测量精度。
公开日期	2015-09-09
申请日期	2015-05-07
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.107/handle/172511/18629]
专题	微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	卢年端,李泠,刘明,等. 赛贝克系数测量结构、测量结构制备方法及测量方法. CN201510226906.X. 2018-11-06.