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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：Physics, Multidisciplinary     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Reactive ion etching as cleaning method post chemical mechanical polishing for phase change memory device 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 25, 期号: 2, 页码: 762-764 Zhong, M; Song, ZT; Liu, B; Feng, SL; Chen, B 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/03/24 CELL-ELEMENT  BEAM METHOD   High Speed and Ultra-Low-Power Phase Change Line Cell Memory Based on SiSb Thin Films with Nanoscale Gap of Electrodes Less Than 100 nm 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 25, 期号: 11, 页码: 4174-4176 Lv, SL; Song, ZT; Zhang, T; Feng, SL 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/03/24 RANDOM-ACCESS MEMORY  DEVICE  RESIST   Simulation of phase-change random access memory with ring-type contactor for low reset current by finite element modelling 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: 3455-3458 Gong, YF; Ling, Y; Song, ZT; Feng, SL 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/03/24 CRYSTALLIZATION  OPERATION  DEVICE   Ge1Sb2Te4 based chalcogenide random access memory array fabricated by 0.18-mu m CMOS technology 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2007, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 790-792 Zhang, T; Song, ZT; Feng, GM; Liu, B; Wu, LC; Feng, SL; Chen, B 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/03/24 THIN-FILMS  PHASE  CRYSTALLIZATION  ALLOYS  DEVICE   Electrical properties of ag-doped Ge2Sb2Te5 films used for phase change random access memory 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2005, 卷号: 22, 期号: 4, 页码: 934-937 Xia, JL; Liu, B; Song, ZT; Feng, SL; Chen, B 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/03/24 SWITCHING PHENOMENA  DEVICE