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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：Physics, Applied     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Self-catalyzed copper-silver complex inks for low-cost fabrication of highly oxidation-resistant and conductive copper-silver hybrid tracks at a low temperature below 100 degrees C 期刊论文 NANOSCALE, 2018, 卷号: 10, 期号: 11, 页码: 5254-5263 作者:  Li, WL;  Li, CF;  Lang, FP;  Jiu, JT;  Ueshima, M 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2018/06/05 Printed Electronics  Nanoparticles  Patterns  Oxide  Films  Decomposition  Reduction  Inkjet  Substrate  Au   Epitaxial growth of perovskite (111) 0.65PMN-0.35PT films directly on wurtzite GaN (0002) surface 期刊论文 APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2018, 卷号: 124, 期号: 7 作者:  Xu, Xiaoke;  Zhao, Junliang;  Li, Guanjie;  Xu, Jiayue;  Li, Xiaomin 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2018/12/28 Epitaxial integration of 0.7Pb(Mg1/3Nb2/3)O-3-0.3PbTiO(3) (111) thin films on GaN (0002) with La0.5Sr0.5CoO3/TiO2 buffer layers 期刊论文 MATERIALS LETTERS, 2018, 卷号: 216, 页码: 224, 227 作者:  Li, Guanjie;  Li, Xiaomin;  Bi, Zhijie;  Chen, Yongbo;  Xu, Xiaoke 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2018/12/28 Ferroelectrics  Thin films  Epitaxial growth  PMN-PT  GaN  Physical vapour deposition   Temperature- and field-dependent leakage current of epitaxial YMnO3/GaN heterostructure 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2009, 卷号: 94, 期号: 12, 页码: 122904-122904 Wu, H; Yuan, J; Peng, T; Pan, Y; Han, T; Liu, C 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/03/24 THIN-FILMS  ELECTRICAL-PROPERTIES  GROWTH  ELECTRODES  CAPACITORS  SCHOTTKY  SOLIDS   Control of the epitaxial orientation and reduction of the interface leakage current in YMnO3/GaN heterostructures 期刊论文 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2009, 卷号: 42, 期号: 18, 页码: 185302-185302 Wu, H; Yuan, J; Peng, T; Pan, Y; Han, T; Shen, K; Zhao, BR; Liu, C 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2012/03/24 NONVOLATILE MEMORY DEVICES  THIN-FILMS  PLATINUM-ELECTRODES  GROWTH  DEPOSITION  SI  CANDIDATE  OXIDES  FIELD