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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：Physics, Applied     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Characteristics of HfxSiyO films grown on Si0.8Ge0.2 layer by electron-beam evaporation 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2006, 卷号: 88, 期号: 12, 页码: 122906-122906 Cheng, XH; Song, ZR; Yu, YY; Yang, WW; Shen, DS 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/03/24 GATE DIELECTRICS  HFO2  OXIDATION  SILICON   Origin of low-temperature photoluminescence from SnO2 nanowires fabricated by thermal evaporation and annealed in different ambients 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2006, 卷号: 88, 期号: 18, 页码: 183112-183112 Luo, SH; Chu, PK; Liu, WL; Zhang, M; Lin, CL 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2011/11/08 SEMICONDUCTING OXIDE NANOBELTS  OPTICAL-PROPERTIES  LARGE-SCALE  NANORODS  GROWTH  SPECTROSCOPY  NANORIBBONS  SENSORS   Resonant tunneling of Si nanocrystals embedded in Al2O3 matrix synthesized by vacuum electron-beam co-evaporation 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2002, 卷号: 81, 期号: 3, 页码: 538-540 Wan, Q; Wang, TH; Zhu, M; Lin, CL 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2012/03/24 VISIBLE-LIGHT EMISSION  SILICON NANOCRYSTALS  PHOTOLUMINESCENCE  MULTILAYERS   Influence of the addition of Co and Ni on the formation of epitaxial semiconducting beta-FeSi2: Comparison of different evaporation methods 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1998, 卷号: 83, 期号: 8, 页码: 4193-4201 Mangelinck, D; Wang, L; Lin, C; Gas, P; Grahn, J; Ostling, M 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/03/25 ION-BEAM SYNTHESIS  SOLID-PHASE EPITAXY  THIN-FILM FORMATION  OPTICAL-PROPERTIES  IRON SILICIDES  ELECTRONIC-STRUCTURE  SILICON  COBALT  GROWTH  IMPLANTATION