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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 GaN-based violet lasers grown on sapphire with a novel facet fabrication method 会议论文 solid state lighting (sslchina), 2015 12th china international forum, 中国深圳, 2015 Yingdong Tian; Yun Zhang; Jianchang Yan; Xiang Chen; Yanan Guo; Xuecheng Wei; Junxi Wang; Jinmin Li 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2016/06/02 EPITAXIAL LATERAL OVERGROWTH OF GaN ON SILICON-ON-INSULATOR 期刊论文 modern physics letters b, 2009, 卷号: 23, 期号: 15, 页码: 1881-1887 Zhang B; Chen J; Wang X; Wu AM; Luo JX; Wang X; Zhang MA; Wu YX; Zhu JJ; Yang H 收藏  |  浏览/下载：72/0  |  提交时间：2010/03/08 GaN  epitaxial lateral overgrowth   Enhanced electroluminescence intensity of InGaN/GaN multi-quantum-wells based on Mg-doped GaN annealed in O-2 期刊论文 applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 10, 页码: art. no. 102112 Ma, P; Gai, YQ; Wang, JX; Yang, FH; Zeng, YP; Li, JM; Li, JB 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2010/03/08 P-TYPE GAN  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  AUGMENTED-WAVE METHOD  VAPOR-PHASE EPITAXY  ELECTRICAL-PROPERTIES  OXYGEN  ACTIVATION  SILICON