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半导体物理 [33]

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限定条件	学科主题：半导体物理

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	Origins of magnetism in transition metal doped Cul 期刊论文 journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 4, 页码: art. no. 043713 Wang J (Wang Jing); Li JB (Li Jingbo); Li SS (Li Shu-Shen) 收藏 \| 浏览/下载：86/0 \| 提交时间：2010/10/11 AUGMENTED-WAVE METHOD OPTICAL-PROPERTIES CUPROUS HALIDES COPPER HALIDES BAND-STRUCTURE CUBR PHOTOEMISSION PRESSURE DENSITY STATES
	Tensile and compressive mechanical behavior of twinned silicon carbide nanowires 期刊论文 acta materialia, 2010, 卷号: 58, 期号: 6, 页码: 1963-1971 作者: Li JB 收藏 \| 浏览/下载：65/1 \| 提交时间：2010/04/22 Twinning Nanotructures Fracture Buckling Molecular dynamics CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION AB-INITIO CALCULATIONS BETA-SIC NANOWIRES LOW-TEMPERATURE THIN-FILMS SIMULATION ELASTICITY NANOTUBES POLYTYPES GROWTH
	Spin states in InAs/AlSb/GaSb semiconductor quantum wells 期刊论文 physical review b, 2009, 卷号: 80, 期号: 3, 页码: art. no. 035303 作者: Li J 收藏 \| 浏览/下载：155/2 \| 提交时间：2010/03/08 ELECTRON-HOLE SYSTEM BAND-STRUCTURE COMPOUND SEMICONDUCTORS RELAXATION ANISOTROPY GAP HETEROSTRUCTURES OPTICAL-TRANSITIONS GROUND-STATE SUPERLATTICES FIELD HYBRIDIZATION
	Electronic structure and optical gain of truncated InAs1-xNx/GaAs quantum dots 期刊论文 superlattices and microstructures, 2009, 卷号: 46, 期号: 3, 页码: 498-506 Chen J; Fan WJ; Xu Q; Zhang XW; Li SS; Xia JB 收藏 \| 浏览/下载：50/4 \| 提交时间：2010/03/08 Band structure k.p method Quantum dots Diluted nitride Optical gain
	Quantum critical phenomena in the XY spin chain with the Dzyaloshinski-Moriya interaction (Retracted article. See vol 80, artn 019903, 2009) 期刊论文 physical review a, 2009, 卷号: 79, 期号: 3, 页码: art. no. 032338 Li YC; Li SS 收藏 \| 浏览/下载：70/14 \| 提交时间：2010/03/08 entropy ground states Heisenberg model magnetic susceptibility quantum entanglement spin-orbit interactions X-Y model
	Nitrogen defects and ferromagnetism in Cr-doped dilute magnetic semiconductor AlN from first principles 期刊论文 physical review b, 2008, 卷号: 78, 期号: 19, 页码: art. no. 195206 Shi LJ; Zhu LF; Zhao YH; Liu BG 收藏 \| 浏览/下载：218/56 \| 提交时间：2010/03/08 ab initio calculations aluminium compounds annealing band structure chromium Curie temperature density functional theory exchange interactions (electron) ferromagnetic materials III-V semiconductors semimagnetic semiconductors total energy vacancies (crystal)
	Enhanced electroluminescence intensity of InGaN/GaN multi-quantum-wells based on Mg-doped GaN annealed in O-2 期刊论文 applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 10, 页码: art. no. 102112 Ma, P; Gai, YQ; Wang, JX; Yang, FH; Zeng, YP; Li, JM; Li, JB 收藏 \| 浏览/下载：26/0 \| 提交时间：2010/03/08 P-TYPE GAN MOLECULAR-BEAM EPITAXY AUGMENTED-WAVE METHOD VAPOR-PHASE EPITAXY ELECTRICAL-PROPERTIES OXYGEN ACTIVATION SILICON
	Strain relaxation and band-gap tunability in ternary InxGa1-xN nanowires 期刊论文 physical review b, 2008, 卷号: 78, 期号: 19, 页码: art. no. 193301 作者: Li JB 收藏 \| 浏览/下载：209/43 \| 提交时间：2010/03/08 density functional theory energy gap enthalpy gallium compounds ground states III-V semiconductors indium compounds Monte Carlo methods nanowires semiconductor quantum wires wide band gap semiconductors
	Circular photogalvanic effect at inter-band excitation in InN 期刊论文 solid state communications, 2008, 卷号: 145, 期号: 4, 页码: 159-162 Zhang, Z; Zhang, R; Liu, B; Xie, ZL; Xiu, XQ; Han, R; Lu, H; Zheng, YD; Chen, YH; Tang, CG; Wang, ZG 收藏 \| 浏览/下载：67/2 \| 提交时间：2010/03/08 InN photogalvanic inter-band transition
	Photoluminescence properties of tensile-strained GaAsP/GaInP single quantum wells grown by metal organic chemical vapor deposition 期刊论文 japanese journal of applied physics, 2008, 卷号: 47, 期号: 9, 页码: 7026-7031 part 1 Zhong, L; Ma, XY 收藏 \| 浏览/下载：56/0 \| 提交时间：2010/03/08 tensile strain GaAsP/GaInP photoluminescence quantum well laser diodes LP-MOCVD

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