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科研机构
半导体研究所 [8]
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期刊论文 [8]
发表日期
2009 [2]
2008 [1]
2005 [1]
2000 [1]
1998 [1]
1991 [2]
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学科主题
半导体物理 [8]
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学科主题:半导体物理
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Quantum mechanical simulation of nanosized metal-oxide-semiconductor field-effect transistor using empirical pseudopotentials: A comparison for charge density occupation methods
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 8, 页码: art.no.084510
Jiang XW (Jiang Xiang-Wei)
;
Deng HX (Deng Hui-Xiong)
;
Li SS (Li Shu-Shen)
;
Luo JW (Luo Jun-Wei)
;
Wang LW (Wang Lin-Wang)
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提交时间:2010/03/08
ELECTRONIC-STRUCTURE
Anomalous coarsening of self-assembled InAs quantum dots on vicinal GaAs (100) substrates
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 5, 页码: art. no. 055310
作者:
Ye XL
;
Pan JQ
;
Liang S
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浏览/下载:128/30
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提交时间:2010/03/08
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
MULTIATOMIC STEPS
ISLANDS
GROWTH
FABRICATION
EPITAXY
Fabrication and optical characterization of GaN-based nanopillar light emitting diodes
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: 3485-3488
Zhu, JH
;
Zhang, SM
;
Sun, X
;
Zhao, DG
;
Zhu, JJ
;
Liu, ZS
;
Jiang, DS
;
Duan, LH
;
Wang, H
;
Shi, YS
;
Liu, SY
;
Yang, H
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浏览/下载:60/0
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提交时间:2010/03/08
INDUCTIVELY-COUPLED PLASMA
ARRAYS
NANOSTRUCTURES
LUMINESCENCE
NANORODS
Origin of the blueshift in the infrared absorbance of intersubband transitions in AlxGa1-x/GaN multiple quantum wells
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2005, 卷号: 25, 期号: 4, 页码: 575-581
Li JM
;
Han X
;
Wu JJ
;
Liu XL
;
Zhu QS
;
Wang ZG
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2010/03/17
quantum wells
Effects of seed layer on the realization of larger self-assembled coherent InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
journal of applied physics, 2000, 卷号: 88, 期号: 9, 页码: 5433-5436
作者:
Xu B
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2010/08/12
INAS ISLANDS
GROWTH
GAAS
RELAXATION
EVOLUTION
GAAS(100)
THICKNESS
DENSITY
SIZE
Photoluminescence study of InxGa1-xAs/InyAl1-yAs one-side-modulation-doped asymmetric step quantum wells
期刊论文
solid state communications, 1998, 卷号: 106, 期号: 12, 页码: 811-814
作者:
Xu B
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浏览/下载:57/0
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提交时间:2010/08/12
quantum wells
semiconductors
electronic band structure
luminescence
TRANSISTOR STRUCTURES
OPTICAL-TRANSITIONS
MASS
RENORMALIZATION
HETEROJUNCTIONS
LUMINESCENCE
DENSITY
FERMI-EDGE SINGULARITY
1ST-PRINCIPLES CALCULATIONS FOR QUASI-PARTICLE ENERGIES OF GAP AND GAAS
期刊论文
physical review b, 1991, 卷号: 44, 期号: 16, 页码: 8707-8712
WANG JQ
;
GU ZQ
;
LI MF
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2010/11/15
EXCHANGE-CORRELATION POTENTIALS
DENSITY-FUNCTIONAL THEORY
ZINCBLENDE SEMICONDUCTORS
STRUCTURAL-PROPERTIES
ELECTRON
SILICON
PSEUDOPOTENTIALS
DISCONTINUITY
APPROXIMATION
INSULATORS
1ST PRINCIPLE CALCULATIONS OF QUASI-PARTICLE ENERGIES FOR BAND STRUCTURES OF SI AND GAAS
期刊论文
chinese physics letters, 1991, 卷号: 8, 期号: 4, 页码: 207-210
WANG JQ
;
GU ZQ
;
WANG BX
;
LI MF
收藏
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提交时间:2010/11/15
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