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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Dependence of intrinsic defects in ZnO films on oxygen fraction studied by positron annihilation 期刊论文 chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 489-492 Peng CX; Weng HM; Yang XJ; Ye BJ; Cheng B; Zhou XY; Han RD 收藏  |  浏览/下载：235/9  |  提交时间：2010/04/11 P-TYPE ZNO  THIN-FILMS  ROOM-TEMPERATURE  PHOTOLUMINESCENCE  DEPOSITION  SUBSTRATE  VACANCIES  LAYER  BEAM  GAN   Growth and photoluminescence of epitaxial CeO2 film on Si (111) substrate 期刊论文 chinese physics letters, 2001, 卷号: 18, 期号: 3, 页码: 443-444 Gao F; Li GH; Zhang JH; Qin FG; Yao ZY; Liu ZK; Wang ZG; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：105/9  |  提交时间：2010/08/12 OPTICAL-PROPERTIES  THIN-FILMS  DEPOSITION  EMISSION  LAYERS   Gap states of hydrogenated amorphous silicon near and above the threshold of microcrystallinity with subtle boron compensation 期刊论文 applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 17, 页码: 2509-2511 Sheng SR; Liao XB; Kong GL 收藏  |  浏览/下载：104/17  |  提交时间：2010/08/12 CONSTANT PHOTOCURRENT METHOD  A-SI-H  ABSORPTION  FILMS  SPECTROSCOPY  DEPOSITION  STABILITY  DILUTION   Study of microstructure of high stability hydrogenated amorphous silicon films by Raman scattering and infrared absorption spectroscopy 期刊论文 applied physics letters, 1998, 卷号: 73, 期号: 3, 页码: 336-338 Sheng SR; Liao XB; Kong GL; Han HX 收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2010/08/12 A-SI-H  CRYSTALLINE SILICON  DEPOSITION  SPECTRA  QUALITY