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科研机构
半导体研究所 [13]
内容类型
期刊论文 [13]
发表日期
2010 [2]
2008 [1]
2005 [1]
2002 [2]
2001 [1]
1999 [2]
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学科主题
半导体物理 [13]
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学科主题:半导体物理
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Charge Separation in Wurtzite/Zinc-Blende Heterojunction GaN Nanowires
期刊论文
chemphyschem, 2010, 卷号: 11, 期号: 15, 页码: 3329-3332
Wang ZG (Wang Zhiguo)
;
Li JB (Li Jingbo)
;
Gao F (Gao Fei)
;
Weber WJ (Weber William J.)
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2010/12/05
SILICON NANOWIRES
CATALYTIC GROWTH
BAND OFFSETS
SOLAR-CELLS
SEMICONDUCTORS
SUPERLATTICES
EFFICIENCY
Origin of ferromagnetism in self-assembled Ga1-xMnxAs quantum dots grown on Si
期刊论文
applied physics letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 24, 页码: article no.242505
作者:
Chen L
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浏览/下载:62/0
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提交时间:2011/07/05
MN
SEMICONDUCTORS
SPINTRONICS
ELECTRONICS
(GA,MN)AS
GAAS
First-principles study of transition metal impurities in Si
期刊论文
physical review b, 2008, 卷号: 77, 期号: 15, 页码: art. no. 155201
Zhang ZZ
;
Partoens B
;
Chang K
;
Peeters FM
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浏览/下载:61/7
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提交时间:2010/03/08
SILICON
Recombination kinetics of Te isoelectronic centers in ZnSTe
期刊论文
applied physics letters, 2005, 卷号: 86, 期号: 5, 页码: art.no.052107
Yang XD
;
Xu ZY
;
Sun Z
;
Sun BQ
;
Li GH
;
Sou IK
;
Ge WK
收藏
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2010/03/17
ZINC-SULFIDE
Photoluminescence from ZnS1-xTex alloys under hydrostatic pressure
期刊论文
physical review b, 2002, 卷号: 66, 期号: 8, 页码: art.no.085203
Fang ZL
;
Li GH
;
Liu NZ
;
Zhu ZM
;
Han HX
;
Ding K
;
Ge WK
;
Sou IK
收藏
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浏览/下载:40/0
  |  
提交时间:2010/08/12
ZNS-TE
ABSORPTION-EDGE
MIXED-CRYSTALS
ZINC-SULFIDE
THIN-FILMS
TRANSITION
EXCITONS
CENTERS
STRAINS
BAND
Pressure behavior of Te isoelectronic centers in ZnS : Te
期刊论文
applied physics letters, 2002, 卷号: 81, 期号: 17, 页码: 3170-3172
Fang ZL
;
Su FH
;
Ma BS
;
Ding K
;
Han HX
;
Li GH
;
Sou IK
;
Ge WK
收藏
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2010/08/12
HYDROSTATIC-PRESSURE
OPTICAL-ABSORPTION
BOUND EXCITONS
ZINC-SULFIDE
LUMINESCENCE
PHOTOLUMINESCENCE
CRYSTALS
ALLOYS
Thermal redistribution of localized excitons and its effect on the luminescence band in InGaN ternary alloys
期刊论文
applied physics letters, 2001, 卷号: 79, 期号: 12, 页码: 1810-1812
Li Q
;
Xu SJ
;
Cheng WC
;
Xie MH
;
Tong SY
;
Che CM
;
Yang H
收藏
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浏览/下载:79/7
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提交时间:2010/08/12
QUANTUM DOTS
TEMPERATURE
PHOTOLUMINESCENCE
ACTIVATION
DIODES
Energy bands and acceptor binding energies of GaN
期刊论文
physical review b, 1999, 卷号: 59, 期号: 15, 页码: 10119-10124
Xia JB
;
Cheah KW
;
Wang XL
;
Sun DZ
;
Kong MY
收藏
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/08/12
GALLIUM NITRIDE
MODEL
SEMICONDUCTORS
STATES
ALN
Quantum confinement of phonon modes in GaAs quantum dots
期刊论文
solid state communications, 1999, 卷号: 113, 期号: 5, 页码: 273-277
Ren SF
;
Gu ZQ
;
Lu DY
收藏
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/08/12
nanostructures
semiconductors
crystal structure and symmetry
phonons
ALAS SUPERLATTICES
OPTICAL PHONONS
SIZE
ANISOTROPY
CLUSTERS
STATES
Sulfur forming an isoelectronic center in zinc telluride thin films
期刊论文
physical review b, 1997, 卷号: 55, 期号: 15, 页码: 10035-10039
Ge WK
;
Lam SB
;
Sou IK
;
Wang J
;
Wang Y
;
Li GH
;
Han HX
;
Wang ZP
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2010/11/17
MOLECULAR-BEAM
ZNS-TE
GAAS
ZNTE
ALLOYS
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