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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Charge Separation in Wurtzite/Zinc-Blende Heterojunction GaN Nanowires 期刊论文 chemphyschem, 2010, 卷号: 11, 期号: 15, 页码: 3329-3332 Wang ZG (Wang Zhiguo); Li JB (Li Jingbo); Gao F (Gao Fei); Weber WJ (Weber William J.) 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/12/05 SILICON NANOWIRES  CATALYTIC GROWTH  BAND OFFSETS  SOLAR-CELLS  SEMICONDUCTORS  SUPERLATTICES  EFFICIENCY   An Anomalous Gain Mechanism in GaN Schottky Barrier Ultraviolet Photodetectors 期刊论文 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: art. no. 058501 作者:  Yang H;  Wang H;  Zhu JJ;  Jiang DS;  Wang H 收藏  |  浏览/下载：195/36  |  提交时间：2010/03/08 SINGLE-CRYSTAL GAN  HETEROJUNCTION  DETECTORS  PHOTODIODES  LAYER   Study on the reverse characteristics of Ti/6H-SiC Schottky contacts 期刊论文 acta physica sinica, 2003, 卷号: 52, 期号: 1, 页码: 211-216 Shang YC; Liu ZL; Wang SR 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2010/08/12 SiC  Schottky contacts  reverse characteristics  tunneling current  ELECTRICAL CHARACTERISTICS  INHOMOGENEITIES  DIODES   Thermal annealing behaviour of Pt on n-GaN Schottky contacts 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2003, 卷号: 36, 期号: 8, 页码: 1018-1022 作者:  Zhang SM;  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：179/3  |  提交时间：2010/08/12 BARRIER FORMATION  DIODES  PD   Thermal annealing behaviour of Ni/Au on n-GaN Schottky contacts 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2002, 卷号: 35, 期号: 20, 页码: 2648-2651 作者:  Zhang SM;  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2010/08/12 RESISTANCE OHMIC CONTACTS  FIELD-EFFECT TRANSISTOR  SINGLE-CRYSTAL GAN  MICROWAVE PERFORMANCE  STABILITY  BARRIER  DIODES   CONTROLLING OF SCHOTTKY-BARRIER HEIGHTS FOR AU/N-GAAS AND TI/N-GAAS WITH HYDROGEN INTRODUCED AFTER METAL-DEPOSITION BY BIAS ANNEALING 期刊论文 applied physics letters, 1993, 卷号: 62, 期号: 21, 页码: 2719-2721 JIN SX; WANG HP; YUAN MH; SONG HZ; WANG H; MAO WL; QIN GG; REN ZY; LI BC; HU XW; SUN GS 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/15 DIODES