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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The effect of an electric field on the nonlinear response of InAs/GaAs quantum dots 期刊论文 journal of optics, 2010, 卷号: 12, 期号: 5, 页码: art. no. 055203 Huang X (Huang X.); Zhang XH (Zhang X. H.); Zhu YG (Zhu Y. G.); Li T (Li T.); Han LF (Han L. F.); Shang XJ (Shang X. J.); Ni HQ (Ni H. Q.); Niu ZC (Niu Z. C.) 收藏  |  浏览/下载：83/6  |  提交时间：2010/08/17 InAs quantum dots  nonlinear refraction  reflection Z-scan  dc electric field effect  ELECTROOPTIC PROPERTIES  SATURABLE ABSORBER  OPTICAL-PROPERTIES  WELL STRUCTURES  SINGLE-BEAM  BAND-GAP  ELECTROABSORPTION  ABSORPTION  REFLECTION  DEPENDENCE   Electronic structure and optical gain saturation of InAs1-xNx/GaAs quantum dots 期刊论文 journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 12, 页码: art. no. 123705 Chen J; Fan WJ; Xu Q; Zhang XW; Li SS; Xia JB 收藏  |  浏览/下载：82/4  |  提交时间：2010/03/08 EMISSION  SPECTRA  LASERS  8-BAND   Electronic structure and optical gain of truncated InAs1-xNx/GaAs quantum dots 期刊论文 superlattices and microstructures, 2009, 卷号: 46, 期号: 3, 页码: 498-506 Chen J; Fan WJ; Xu Q; Zhang XW; Li SS; Xia JB 收藏  |  浏览/下载：50/4  |  提交时间：2010/03/08 Band structure  k.p method  Quantum dots  Diluted nitride  Optical gain   Electronic structure and optical gain saturation of InAs1-xNx/GaAs quantum dots 会议论文 Chen J; Fan WJ; Xu Q; Zhang XW; Li SS; Xia JB 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/03/09 EMISSION   Raman study of low-temperature-grown Al0.29Ga0.71As/GaAs photorefractive materials 期刊论文 physical review b, 2002, 卷号: 65, 期号: 12, 页码: art.no.125325 作者:  Tan PH 收藏  |  浏览/下载：76/4  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ALXGA1-XAS ALLOYS  GAAS  PHOTOLUMINESCENCE   The intrinsic temperature effect of the Raman spectra of graphite 期刊论文 applied physics letters, 1999, 卷号: 74, 期号: 13, 页码: 1818-1820 作者:  Tan PH 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2010/08/12 CARBON NANOTUBES  SCATTERING  1ST-ORDER  DIAMOND  DEPENDENCE  FIBERS  MODEL   Effects of annealing on self-organized InAs quantum islands on GaAs (100) 期刊论文 applied physics letters, 1998, 卷号: 73, 期号: 24, 页码: 3518-3520 Mo QW; Fan TW; Gong Q; Wu J; Wang ZG; Bai YQ 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  OPTICAL-PROPERTIES  COHERENT ISLANDS  GROWTH  DOTS  DISLOCATIONS  TEMPERATURE  MECHANISMS  SI(001)  INGAAS