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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effects of seed dot layer and thin GaAs spacer layer on the structure and optical properties of upper In(Ga)As quantum dots 期刊论文 journal of applied physics, 2003, 卷号: 93, 期号: 11, 页码: 8898-8902 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：263/9  |  提交时间：2010/08/12 SCANNING-TUNNELING-MICROSCOPY  GROWTH  ISLANDS  NM   A narrow photoluminescence linewidth of 19.2 meV at 1.35 mu m from In0.5Ga0.5As/GaAs quantum island structure grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 chinese physics letters, 2001, 卷号: 18, 期号: 4, 页码: 608-610 Wang XD; Niu ZC; Feng SL; Miao ZH 收藏  |  浏览/下载：89/5  |  提交时间：2010/08/12 OPTICAL-PROPERTIES  ROOM-TEMPERATURE  CAP LAYER  DOTS  GAAS  LUMINESCENCE   Metamorphosis of self-organized quantum dots into quantum wires 期刊论文 physics letters a, 1998, 卷号: 249, 期号: 5-6, 页码: 555-559 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：103/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum dot  sequential coalescence  quantum wire  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ISLANDS  GROWTH  INP  MICROSTRUCTURES  CONFINEMENT  RELAXATION  INP(001)  LAYERS  VAPOR-PHASE EPITAXY