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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The effect of single AlGaN interlayer on the structural properties of GaN epilayers grown on Si (111) substrates 期刊论文 chinese physics b, 2009, 卷号: 18, 期号: 10, 页码: 4413-4417 Wu YX (Wu Yu-Xin); Zhu JJ (Zhu Jian-Jun); Zhao DG (Zhao De-Gang); Liu ZS (Liu Zong-Shun); Jiang DS (Jiang De-Sheng); Zhang SM (Zhang Shu-Ming); Wang YT (Wang Yu-Tian); Wang H (Wang Hui); Chen GF (Chen Gui-Feng); Yang H (Yang Hui) 收藏  |  浏览/下载：131/35  |  提交时间：2010/03/08 GaN   Structural and optical properties of strain-compensated GaAsSb/GaAs quantum wells with high Sb composition 期刊论文 applied physics letters, 2003, 卷号: 83, 期号: 20, 页码: 4149-4151 作者:  Jiang DS;  Zhang YH 收藏  |  浏览/下载：185/0  |  提交时间：2010/08/12 1.3-MU-M VCSELS  GAAS  SUPERLATTICES   Wavelength tuning in GaAsAlGaAs quantum wells by InAs submonolayer insertion 期刊论文 journal of physics-condensed matter, 1999, 卷号: 11, 期号: 17, 页码: 3629-3633 Xu ZY; Wang J; Wang Y; Ge WK; Li Q; Li SS; Henini M 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2010/08/12 OPTICAL-PROPERTIES  GAAS  DOTS  DEPENDENCE  SURFACES  GROWTH