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半导体研究所 [16]
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期刊论文 [15]
学位论文 [1]
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学科主题:半导体物理
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绿光InGaN/GaN多量子阱发光特性研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
刘炜
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2016/06/01
Surface plasmon coupling dynamics in InGaN/GaN quantum-well structures and radiative efficiency improvement
期刊论文
scientific reports, 2014, 卷号: 4, 页码: 6392
Fadil, A
;
Iida, D
;
Chen, YT
;
Ma, J
;
Ou, YY
;
Petersen, PM
;
Ou, HY
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2015/04/02
Confinement factor and absorption loss of AlInGaN based laser diodes emitting from ultraviolet to green
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 2, 页码: art. no. 023104
作者:
Zhu JJ
;
Zhang SM
;
Jiang DS
;
Zhao DG
;
Yang H
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浏览/下载:193/56
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提交时间:2010/03/08
aluminium compounds
claddings
gallium compounds
III-V semiconductors
indium compounds
quantum well lasers
refractive index
waveguide lasers
InGaN/GaN p-i-n Photodiodes Fabricated with Mg-Doped p-InGaN Layer
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 10, 页码: art.no.107302
Wang H (Wang Hui)
;
Zhu JH (Zhu Ji-Hong)
;
Jiang DS (Jiang De-Sheng)
;
Zhu JJ (Zhu Jian-Jun)
;
Zhao DG (Zhao De-Gang)
;
Liu ZS (Liu Zong-Shun)
;
Zhang SM (Zhang Shu-Ming)
;
Yang H (Yang Hui)
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浏览/下载:158/39
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提交时间:2010/03/08
TRANSPORT CHARACTERISTICS
The investigation on strain relaxation and double peaks in photoluminescence of InGaN/GaN MQW layers
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 23, 页码: art.no.235104
Zhu, JH (Zhu, J. H.)
;
Wang, LJ (Wang, L. J.)
;
Zhang, SM (Zhang, S. M.)
;
Wang, H (Wang, H.)
;
Zhao, DG (Zhao, D. G.)
;
Zhu, JJ (Zhu, J. J.)
;
Liu, ZS (Liu, Z. S.)
;
Jiang, DS (Jiang, D. S.)
;
Qiu, YX (Qiu, Y. X.)
;
Yang, H (Yang, H.)
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浏览/下载:144/26
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提交时间:2010/03/08
MULTIPLE-QUANTUM WELLS
Indium-Induced Effect on Polarized Electroluminescence from InGaN/GaN MQWs Light Emitting Diodes
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 8, 页码: art. no. 087802
Ruan J
;
Yu TJ
;
Jia CY
;
Tao RC
;
Wang ZG
;
Zhang GY
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浏览/下载:89/2
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提交时间:2010/03/08
QUANTUM-WELL LASERS
OPTICAL GAIN
EMISSION
GAN
PHOTOLUMINESCENCE
SEMICONDUCTORS
LUMINESCENCE
SPECTRA
ORIGIN
ENERGY
Enhanced electroluminescence intensity of InGaN/GaN multi-quantum-wells based on Mg-doped GaN annealed in O-2
期刊论文
applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 10, 页码: art. no. 102112
Ma, P
;
Gai, YQ
;
Wang, JX
;
Yang, FH
;
Zeng, YP
;
Li, JM
;
Li, JB
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2010/03/08
P-TYPE GAN
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
AUGMENTED-WAVE METHOD
VAPOR-PHASE EPITAXY
ELECTRICAL-PROPERTIES
OXYGEN
ACTIVATION
SILICON
Photoelectric characteristics of metal/InGaN/GaN heterojunction structure
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 16, 页码: art. no. 165108
Sun, X
;
Liu, WB
;
Jiang, DS
;
Liu, ZS
;
Zhang, S
;
Wang, LL
;
Wang, H
;
Zhu, JJ
;
Duan, LH
;
Wang, YT
;
Zhao, DG
;
Zhang, SM
;
Yang, H
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浏览/下载:65/0
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提交时间:2010/03/08
FUNDAMENTAL-BAND GAP
IN1-XGAXN ALLOYS
INN
Fabrication and optical characterization of GaN-based nanopillar light emitting diodes
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: 3485-3488
Zhu, JH
;
Zhang, SM
;
Sun, X
;
Zhao, DG
;
Zhu, JJ
;
Liu, ZS
;
Jiang, DS
;
Duan, LH
;
Wang, H
;
Shi, YS
;
Liu, SY
;
Yang, H
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浏览/下载:59/0
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提交时间:2010/03/08
INDUCTIVELY-COUPLED PLASMA
ARRAYS
NANOSTRUCTURES
LUMINESCENCE
NANORODS
Low threshold lasing of GaN-based vertical cavity surface emitting lasers with an asymmetric coupled quantum well active region
期刊论文
applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 19, 页码: art. no. 191118
Zhang JY
;
Cai LE
;
Zhang BP
;
Li SQ
;
Lin F
;
Shang JZ
;
Wang DX
;
Lin KC
;
Yu JZ
;
Wang QM
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提交时间:2010/03/08
gallium compounds
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