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半导体研究所 [36]
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学科主题
半导体物理 [36]
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共36条,第1-10条
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学科主题:半导体物理
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Strain-induced high ferromagnetic transition temperature of MnAs epilayer grown on GaAs (110)
期刊论文
nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: article no.125
作者:
Chen L
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浏览/下载:38/1
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提交时间:2011/07/05
MAGNETIC-PROPERTIES
GAAS(001)
FILMS
ORDER
NANOCLUSTERS
EPITAXY
Au@Si-n: Growth behavior, stability and electronic structure
期刊论文
physics letters a, 2010, 卷号: 374, 期号: 27, 页码: 2736-2742
Wang J (Wang Jing)
;
Liu Y (Liu Ying)
;
Li YC (Li You-Cheng)
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2010/07/18
Density functional theory
Gold-doped silicon cluster
Electronic structure
SUPERSONIC MOLECULAR-BEAM
SILICON CLUSTERS
MAGNETIC-PROPERTIES
N=1-13 CLUSTERS
NICKEL CLUSTERS
GOLD
EXCHANGE
TI
Room temperature photoluminescence of tensile-strained Ge/Si0.13Ge0.87 quantum wells grown on silicon-based germanium virtual substrate
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 14, 页码: art. no. 141902
Chen YH
;
Li C
;
Zhou ZW
;
Lai HK
;
Chen SY
;
Ding WC
;
Cheng BW
;
Yu YD
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浏览/下载:93/14
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提交时间:2010/03/08
chemical vapour deposition
elemental semiconductors
energy gap
germanium
Ge-Si alloys
photoluminescence
semiconductor epitaxial layers
semiconductor quantum wells
silicon
tensile strength
Room Temperature Ferromagnetism of Mn Implanted AlInN
期刊论文
japanese journal of applied physics, 2009, 卷号: 48, 期号: 4, 页码: art. no. 040202
Majid A
;
Sharif R
;
Ali A
;
Zhu JJ
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浏览/下载:251/25
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提交时间:2010/03/08
MAGNETIC-PROPERTIES
SEMICONDUCTORS
GAN
CR
ALLOYS
GROWTH
FILMS
Enhanced electroluminescence intensity of InGaN/GaN multi-quantum-wells based on Mg-doped GaN annealed in O-2
期刊论文
applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 10, 页码: art. no. 102112
Ma, P
;
Gai, YQ
;
Wang, JX
;
Yang, FH
;
Zeng, YP
;
Li, JM
;
Li, JB
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2010/03/08
P-TYPE GAN
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
AUGMENTED-WAVE METHOD
VAPOR-PHASE EPITAXY
ELECTRICAL-PROPERTIES
OXYGEN
ACTIVATION
SILICON
Electrical control of dynamic spin splitting induced by exchange interaction as revealed by time-resolved Kerr rotation in a degenerate spin-polarized electron gas
期刊论文
epl, 2008, 卷号: 83, 期号: 4, 页码: art. no. 47006
Zhang, F
;
Zheng, HZ
;
Ji, Y
;
Liu, J
;
Li, GR
收藏
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浏览/下载:51/0
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提交时间:2010/03/08
GAAS QUANTUM-WELLS
Photoluminescence energy and fine structure splitting in single quantum dots by uniaxial stress
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 3, 页码: 1120-1123
Dou, XM
;
Sun, BQ
;
Wang, BR
;
Ma, SS
;
Zhou, R
;
Huang, SS
;
Ni, HQ
;
Niu, ZC
收藏
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浏览/下载:52/2
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提交时间:2010/03/08
EXCHANGE INTERACTION
GAAS
PRESSURE
DEPENDENCE
AMPLIFIERS
ELECTRON
EMISSION
EXCITONS
PHOTONS
SPECTRA
Localized and free exciton spin relaxation dynamics in GaInNAs/GaAs quantum well
期刊论文
applied physics letters, 2008, 卷号: 92, 期号: 5, 页码: art. no. 051908
Lu SL
;
Bian LF
;
Uesugi M
;
Nosho H
;
Tackeuchi A
;
Niu ZC
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浏览/下载:49/2
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提交时间:2010/03/08
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
The effect of low temperature AlN interlayers on the growth of GaN epilayer on Si (111) by MOCVD
期刊论文
superlattices and microstructures, 2008, 卷号: 44, 期号: 2, 页码: 153-159
Luo, WJ
;
Wang, XL
;
Guo, LC
;
Xiao, HL
;
Wang, CM
;
Ran, JX
;
Li, JP
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:85/1
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提交时间:2010/03/08
gallium nitride crack
low temperature aluminum nitride
interlayer
silicon
Recombination property of nitrogen-acceptor-bound states in ZnO
期刊论文
journal of applied physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 4, 页码: art.no.046101
Yang XD
;
Xu ZY
;
Sun Z
;
Sun BQ
;
Ding L
;
Wang FZ
;
Ye ZZ
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浏览/下载:52/0
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提交时间:2010/04/11
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
P-TYPE ZNO
OPTICAL-PROPERTIES
EXCITON FORMATION
PHOTOLUMINESCENCE
FILMS
SPECTROSCOPY
DYNAMICS
IMPURITY
ENERGY
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