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科研机构
半导体研究所 [14]
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期刊论文 [14]
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2011 [1]
2010 [2]
2009 [1]
2008 [1]
2004 [1]
2002 [1]
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学科主题
半导体物理 [14]
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Highly Reproducible Nanolithography by Dynamic Plough of an Atomic-Force Microscope Tip and Thermal-Annealing Treatment
期刊论文
ieee transactions on nanotechnology, 2011, 卷号: 10, 期号: 1, 页码: 53-58
Lu XF
;
Balocco C
;
Yang FH
;
Song AM
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浏览/下载:73/7
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提交时间:2011/07/05
Atomic-force microscope (AFM)
nanolithography
self-switching diodes (SSDs)
2-D electron gas
CONDUCTING POLYMER-FILMS
NANOMETER-SCALE
LITHOGRAPHY
FABRICATION
SURFACES
DEVICES
NANOSTRUCTURES
Defects in gallium nitride nanowires: First principles calculations
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 4, 页码: art. no. 044305
Wang ZG (Wang Zhiguo)
;
Li JB (Li Jingbo)
;
Gao F (Gao Fei)
;
Weber WJ (Weber William J.)
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浏览/下载:106/1
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提交时间:2010/10/11
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
GAN NANOWIRES
NATIVE DEFECTS
COMPLEXES
EPITAXY
GROWTH
ARRAYS
Quantum tunneling through planar p-n junctions in HgTe quantum wells
期刊论文
new journal of physics, 2010, 期号: 12, 页码: art. no. 083058
Zhang LB (Zhang L. B.)
;
Chang K (Chang Kai)
;
Xie XC (Xie X. C.)
;
Buhmann H (Buhmann H.)
;
Molenkamp LW (Molenkamp L. W.)
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浏览/下载:146/5
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提交时间:2010/09/20
SINGLE DIRAC CONE
TOPOLOGICAL INSULATORS
HALL
SURFACE
STATE
PHASE
The effect of single AlGaN interlayer on the structural properties of GaN epilayers grown on Si (111) substrates
期刊论文
chinese physics b, 2009, 卷号: 18, 期号: 10, 页码: 4413-4417
Wu YX (Wu Yu-Xin)
;
Zhu JJ (Zhu Jian-Jun)
;
Zhao DG (Zhao De-Gang)
;
Liu ZS (Liu Zong-Shun)
;
Jiang DS (Jiang De-Sheng)
;
Zhang SM (Zhang Shu-Ming)
;
Wang YT (Wang Yu-Tian)
;
Wang H (Wang Hui)
;
Chen GF (Chen Gui-Feng)
;
Yang H (Yang Hui)
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浏览/下载:131/35
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提交时间:2010/03/08
GaN
Effect on nitrogen acceptor as Mg is alloyed into ZnO
期刊论文
applied physics letters, 2008, 卷号: 92, 期号: 6, 页码: art. no. 062110
Gai, YQ
;
Yao, B
;
Wei, ZP
;
Li, YF
;
Lu, YM
;
Shen, DZ
;
Zhang, JY
;
Zhao, DX
;
Fan, XW
;
Li, JB
;
Xia, JB
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浏览/下载:61/0
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提交时间:2010/03/08
P-TYPE ZNO
II-VI
BAND-GAP
SEMICONDUCTORS
FILMS
MGXZN1-XO
EPITAXY
Generation and behavior of pure-edge threading misfit dislocations in InxGa1-xN/GaN multiple quantum wells
期刊论文
journal of applied physics, 2004, 卷号: 96, 期号: 9, 页码: 5267-5270
作者:
Li DB
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浏览/下载:55/17
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提交时间:2010/03/09
VAPOR-PHASE EPITAXY
Room-temperature, ground-state lasing for red-emitting vertically aligned InAlAs/AlGaAs quantum dots grown on a GaAs(100) substrate
期刊论文
applied physics letters, 2002, 卷号: 80, 期号: 20, 页码: 3769-3771
作者:
Xu B
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浏览/下载:89/3
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
HIGH-POWER
LASER-DIODES
NM
The transition from Eu3+ to Eu2+ in SiO2(Eu) thin films prepared by ion implantation and co-sputtering
期刊论文
acta physica sinica, 2001, 卷号: 50, 期号: 3, 页码: 532-535
Liu FZ
;
Zhu MF
;
Liu T
;
Li BC
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浏览/下载:165/50
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提交时间:2010/08/12
SiO2(Eu) films
XANES
SPECTROSCOPY
SILICON
VALENCE
GLASS
ER3+
Gap states of hydrogenated amorphous silicon near and above the threshold of microcrystallinity with subtle boron compensation
期刊论文
applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 17, 页码: 2509-2511
Sheng SR
;
Liao XB
;
Kong GL
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浏览/下载:104/17
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提交时间:2010/08/12
CONSTANT PHOTOCURRENT METHOD
A-SI-H
ABSORPTION
FILMS
SPECTROSCOPY
DEPOSITION
STABILITY
DILUTION
Characterization of CdSe and CdSe/CdS core/shell nanoclusters synthesized in aqueous solution
期刊论文
physica e, 2000, 卷号: 8, 期号: 2, 页码: 174-178
Liu SM
;
Guo HQ
;
Zhang ZH
;
Li R
;
Chen W
;
Wang ZG
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浏览/下载:65/0
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提交时间:2010/08/12
CdSe
CdSe/CdS
nanoclusters
QUANTUM DOTS
SEMICONDUCTOR NANOCRYSTALLITES
SIZE
EXCITON
CLUSTERS
DARK
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