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科研机构
半导体研究所 [31]
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期刊论文 [31]
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2011 [2]
2010 [1]
2009 [3]
2008 [5]
2007 [2]
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学科主题
半导体物理 [31]
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学科主题:半导体物理
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SPACE-CHARGE EFFECT IN UNINTENTIONALLY N-DOPED SILICON
期刊论文
modern physics letters b, 2012, 卷号: 26, 期号: 8, 页码: 1250048
Cong, KK
;
Ji, Y
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2013/02/07
Electrode-contact enhancement in silicon nanowire-array-textured solar cells
期刊论文
applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 14, 页码: article no.143108
Chen C
;
Jia R
;
Li HF
;
Meng YL
;
Liu XY
;
Ye TC
;
Kasai S
;
Tamotsu H
;
Wu NJ
;
Wang SL
;
Chu JH
收藏
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浏览/下载:40/4
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提交时间:2011/07/05
Thermoelectric properties of ZnO nanowires: A first principle research
期刊论文
physics letters a, 2011, 卷号: 375, 期号: 30-31, 页码: 2878-2881
Liu CR
;
Li JB
收藏
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2012/01/06
INITIO MOLECULAR-DYNAMICS
AUGMENTED-WAVE METHOD
SILICON NANOWIRES
DOPED ZNO
CONDUCTIVITY
TEMPERATURE
METALS
Au@Si-n: Growth behavior, stability and electronic structure
期刊论文
physics letters a, 2010, 卷号: 374, 期号: 27, 页码: 2736-2742
Wang J (Wang Jing)
;
Liu Y (Liu Ying)
;
Li YC (Li You-Cheng)
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2010/07/18
Density functional theory
Gold-doped silicon cluster
Electronic structure
SUPERSONIC MOLECULAR-BEAM
SILICON CLUSTERS
MAGNETIC-PROPERTIES
N=1-13 CLUSTERS
NICKEL CLUSTERS
GOLD
EXCHANGE
TI
Controlling electronic structures by irradiation in single-walled SiC nanotubes: a first-principles molecular dynamics study
期刊论文
nanotechnology, 2009, 卷号: 20, 期号: 7, 页码: art. no. 075708
作者:
Li JB
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浏览/下载:165/21
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提交时间:2010/03/08
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
SILICON-CARBIDE NANOTUBES
FORMATION ENERGIES
CARBON NANOTUBES
BORON-NITRIDE
NANOWIRES
COMPOSITES
DEFECTS
FUSION
Enhanced infrared emission from colloidal HgTe nanocrystal quantum dots on silicon-on-insulator photonic crystals
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 5, 页码: art. no. 053107
作者:
Tan PH
;
Liu J
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浏览/下载:61/1
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提交时间:2010/03/08
colloidal crystals
II-VI semiconductors
infrared spectra
mercury compounds
nanostructured materials
photoluminescence
photonic crystals
semiconductor quantum dots
silicon-on-insulator
Role of edge dislocation and Si impurity in linking the blue luminescence and yellow luminescence in n-type GaN films
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 4, 页码: art. no. 041901
作者:
Yang H
;
Wang H
;
Wang H
;
Wang YT
;
Yang H
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浏览/下载:64/1
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提交时间:2010/03/08
edge dislocations
gallium compounds
III-V semiconductors
impurities
photoluminescence
semiconductor doping
semiconductor thin films
silicon
wide band gap semiconductors
X-ray diffraction
Enhanced electroluminescence intensity of InGaN/GaN multi-quantum-wells based on Mg-doped GaN annealed in O-2
期刊论文
applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 10, 页码: art. no. 102112
Ma, P
;
Gai, YQ
;
Wang, JX
;
Yang, FH
;
Zeng, YP
;
Li, JM
;
Li, JB
收藏
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2010/03/08
P-TYPE GAN
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
AUGMENTED-WAVE METHOD
VAPOR-PHASE EPITAXY
ELECTRICAL-PROPERTIES
OXYGEN
ACTIVATION
SILICON
Interface as the origin of ferromagnetism in cobalt doped ZnO film grown on silicon substrate
期刊论文
applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 14, 页码: art. no. 142109
作者:
Yin ZG
;
Zhang XW
收藏
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2010/03/08
MAGNETIC-PROPERTIES
The formation and electronic structures of 3d transition-metal atoms doped in silicon nanowires
期刊论文
journal of applied physics, 2008, 卷号: 104, 期号: 8, 页码: art. no. 084307
Xu, Q
;
Li, JB
;
Li, SS
;
Xia, JB
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浏览/下载:75/1
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提交时间:2010/03/08
EXCHANGE INTERACTION
SEMICONDUCTORS
GAAS
ENERGIES
DOTS
MN
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