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科研机构
半导体研究所 [13]
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期刊论文 [13]
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2009 [1]
2008 [1]
2005 [1]
2003 [1]
2002 [1]
2000 [1]
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学科主题
半导体物理 [13]
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学科主题:半导体物理
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An Anomalous Gain Mechanism in GaN Schottky Barrier Ultraviolet Photodetectors
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: art. no. 058501
作者:
Yang H
;
Wang H
;
Zhu JJ
;
Jiang DS
;
Wang H
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浏览/下载:196/36
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提交时间:2010/03/08
SINGLE-CRYSTAL GAN
HETEROJUNCTION
DETECTORS
PHOTODIODES
LAYER
A new method to reduce the dark current of GaN based Schottky barrier ultraviolet photodetector
期刊论文
acta physica sinica, 2008, 卷号: 57, 期号: 4, 页码: 2548-2553
作者:
Zhao DG
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浏览/下载:31/2
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提交时间:2010/03/08
GaN
Electron transport through hierarchical self-assembly of GaAs/AlxGa1-xAs quantum dots
期刊论文
journal of applied physics, 2005, 卷号: 98, 期号: 8, 页码: art.no.083704
Li SS
;
Xia JB
;
Hirose K
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浏览/下载:157/16
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提交时间:2010/03/17
Study on the reverse characteristics of Ti/6H-SiC Schottky contacts
期刊论文
acta physica sinica, 2003, 卷号: 52, 期号: 1, 页码: 211-216
Shang YC
;
Liu ZL
;
Wang SR
收藏
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浏览/下载:55/0
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提交时间:2010/08/12
SiC
Schottky contacts
reverse characteristics
tunneling current
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
INHOMOGENEITIES
DIODES
Thermal annealing behaviour of Ni/Au on n-GaN Schottky contacts
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2002, 卷号: 35, 期号: 20, 页码: 2648-2651
作者:
Zhang SM
;
Zhao DG
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浏览/下载:59/0
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提交时间:2010/08/12
RESISTANCE OHMIC CONTACTS
FIELD-EFFECT TRANSISTOR
SINGLE-CRYSTAL GAN
MICROWAVE PERFORMANCE
STABILITY
BARRIER
DIODES
Pressure behaviour of self-assembled In0.55Al0.45As/Al0.5Ga0.5As quantum dots with multi-modal distribution in size
期刊论文
journal of physics-condensed matter, 2000, 卷号: 12, 期号: 13, 页码: 3173-3180
Chen Y
;
Zhang W
;
Li GH
;
Zhu ZM
;
Han HX
;
Wang ZP
;
Zhou W
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:51/0
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提交时间:2010/08/12
HYDROSTATIC-PRESSURE
ALXGA1-XAS ALLOYS
PHOTOLUMINESCENCE
WELLS
LUMINESCENCE
DEPENDENCE
Suppression of self-sustained field domain oscillation in GaAs/AlAs superlattice by hydrostatic pressure at room temperature
期刊论文
chinese physics letters, 1999, 卷号: 16, 期号: 2, 页码: 143-145
作者:
Jiang DS
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2010/08/12
GAAS-ALAS HETEROSTRUCTURES
DOUBLE-BARRIER STRUCTURES
SEMICONDUCTOR SUPERLATTICES
TRANSPORT
A transition layer model and its application to resonant tunneling in heterostructures
期刊论文
physics letters a, 1996, 卷号: 216, 期号: 0, 页码: 183-186
Song Y
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/17
STUDIES OF THE PROMISING MATERIAL COSI2 ON GAAS SUBSTRATES
期刊论文
applied physics a-materials science & processing, 1994, 卷号: 59, 期号: 3, 页码: 335-337
JIN G
;
WEIDE C
;
HSU CC
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2010/11/15
SCHOTTKY
SCATTERING AND RESONANT-TUNNELING THEORY FOR A CYLINDRICAL WELL IN PLANAR STRUCTURES
期刊论文
physical review b, 1993, 卷号: 47, 期号: 19, 页码: 12933-12936
XIA JB
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浏览/下载:80/0
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提交时间:2010/11/15
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