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科研机构
半导体研究所 [19]
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期刊论文 [19]
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学科主题
半导体物理 [19]
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学科主题:半导体物理
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Concave Cu2O octahedral nanoparticles as an advanced sensing material for benzene (C6H6) and nitrogen dioxide (NO2) detection
期刊论文
sensors & actuators b: chemical, 2016, 卷号: 223, 页码: 311-317
Lili Wang
;
Rui Zhang
;
Tingting Zhou
;
Zheng Lou
;
Jianan Deng
;
Tong Zhanga,∗
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2017/03/16
Spin relaxation in submonolayer and monolayer InAs structures grown in a GaAs matrix
期刊论文
physical review b, 2009, 卷号: 80, 期号: 3, 页码: art. no. 035313
Yang CL
;
Cui XD
;
Shen SQ
;
Xu ZY
;
Ge WK
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浏览/下载:67/0
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提交时间:2010/03/08
QUANTUM-WELLS
SPINTRONICS
ELECTRON
原子氢辅助MBE生长的不同晶面GaAs表面形貌
期刊论文
半导体光电, 2004, 卷号: 25, 期号: 2, 页码: 162-164
作者:
牛智川
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2010/11/23
Atomic hydrogen induced step bunching and fabrication of quantum wire arrays on GaAs (311)A substrate by molecular beam epitaxy
期刊论文
chinese physics, 2003, 卷号: 12, 期号: 2, 页码: 218-221
Zhou DY
;
Lan Q
;
Kong YC
;
Miao ZH
;
Feng SL
;
Niu ZC
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2010/08/12
molecular beam epitaxy (MBE) step bunching
InGaAs
quantum wire
SURFACE-DIFFUSION
GROWTH
DOTS
InAs self-assembled quantum dots grown on an InP (311)B substrate by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of applied physics, 2001, 卷号: 89, 期号: 7, 页码: 4186-4188
作者:
Ye XL
;
Xu B
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浏览/下载:145/18
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提交时间:2010/08/12
MATRIX
ISLANDS
INGAAS
Infrared absorption efficiency in AlAs/AlxGa1-xAs type-II multiple-quantum-well structure grown on (211) GaAs substrate
期刊论文
physica status solidi b-basic research, 2000, 卷号: 217, 期号: 2, 页码: 833-840
Zhu QS
;
He YP
;
Zhong ZT
;
Sun XH
;
Hiramatsu K
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2010/08/12
PHOTODETECTOR
ALAS
Self-organized type-II In0.55Al0.45As/Al0.50Ga0.50As quantum dots realized on GaAs(311)A
期刊论文
applied physics letters, 2000, 卷号: 76, 期号: 25, 页码: 3741-3743
作者:
Xu B
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浏览/下载:50/0
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提交时间:2010/08/12
VISIBLE PHOTOLUMINESCENCE
LINEWIDTH
INJECTION
EMISSION
WIRES
LASER
Photoluminescence studies of type-II self-assembled In0.55Al0.45As/Al0.5Ga0.5As quantum dots grown on (311)A GaAs substrate
期刊论文
applied physics letters, 2000, 卷号: 76, 期号: 22, 页码: 3188-3190
Chen Y
;
Li GH
;
Zhu ZM
;
Han HX
;
Wang ZP
;
Zhou W
;
Wang ZG
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浏览/下载:59/0
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提交时间:2010/08/12
OPTICAL-PROPERTIES
SUPERLATTICES
PRESSURE
LINEWIDTH
INSB
GASB
Structural and optical properties of self-assembled InAs quantum dots grown on GaAs (311) A substrate
期刊论文
acta physica sinica, 1999, 卷号: 48, 期号: 8, 页码: 1541-1546
作者:
Xu B
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浏览/下载:49/0
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提交时间:2010/08/12
THERMAL-ACTIVATION
LOCALIZED EXCITONS
PHOTOLUMINESCENCE
SUPERLATTICES
Lateral ordered InGaAs self-organized quantum dots grown on (311) GaAs by conventional molecular beam epitaxy
期刊论文
chinese physics letters, 1999, 卷号: 16, 期号: 1, 页码: 68-70
作者:
Xu B
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2010/08/12
ALIGNMENT
SURFACES
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